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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端资料区 › GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明 ...
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楼主: icbbs

[资料] GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明

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zxy0125
发表于 2013-10-9 10:59:51 | 显示全部楼层
回复 33# llhorse


    谢谢分享。
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173660575
发表于 2013-10-21 21:37:11 | 显示全部楼层
顶一下楼主
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duqian88
发表于 2013-10-22 00:41:55 | 显示全部楼层
正好需要~~!!支持支持，非常感谢
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xinshuiren
发表于 2013-10-30 22:23:48 | 显示全部楼层
学习学习
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xinshuiren
发表于 2013-10-31 00:21:11 | 显示全部楼层
学习学习
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发表于 2014-1-19 03:01:45 | 显示全部楼层
3kkkkkkkkkkkkkyyyyyyyyyyyyyyy
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530535246
发表于 2014-1-20 13:07:45 | 显示全部楼层
感谢分享，很好的资料！
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summer2013
发表于 2014-3-10 20:29:47 | 显示全部楼层
多谢楼主分享！
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gnoc
发表于 2014-3-11 20:15:07 | 显示全部楼层
TKS，LZ，
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uestc_xwd
发表于 2014-5-26 16:45:44 | 显示全部楼层
kankan
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