应力会对电参数产生影响吗？

donaldtsl · 发表于 2018-12-28 10:32:58

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如题，对芯片施加应力，对电器参数会有影响吗？

tomcarrot · 发表于 2018-12-28 13:52:02

会，主要体现在mismatch上
热量、压力都有影响

donaldtsl · 发表于 2018-12-29 10:51:13

回复 2# tomcarrot

那是什么原因导致mismatch？是MOS管的形状变了？

nanke · 发表于 2018-12-29 13:58:41

回复 3# donaldtsl

mora(LDO大神)的书里有提到，和si晶体的晶格什么的有关。

zhaoqin · 发表于 2018-12-29 22:15:27

版图艺术也有讲，不同的晶向会导致不同的mismatch

magicdog · 发表于 2019-1-9 16:56:47

打两拳试试

andy2000a · 发表于 2019-1-9 18:04:33

如题，对芯片施加应力，对电器参数会有影响吗？
donaldtsl 发表于 2018-12-28 10:32

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多年前看过 paper , package 后因应力
bandgap 差
6mv.
如果
power IC , multi chip package , 内建
mos因为会热, 会热应力
, 如果反复发生底层胶会 pilling. 导致
on resistance 会变大, 须对 package用超音波去扫. 早年想开发
power mos上迭
controldie 的
同步IC , 但问过封装厂除有难度外, 另个是下面的 powermos 会因热产生很多问题
., 国外IC 是如何做到不知道
. 所以有些 PSR(原边) . 强调单一DIE 是有原因的. 就内建
UHVmos , 不过, rds on 都比独立U/VMOS 大很多, 一般700v都
ron=20~30Ohm , 但独立MOS 很多
r=2~8Ohm , 但是
multidie 封装就是会热应力产生
yield loss . 量产才会看到这问题.

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