压控环形振荡器在CP测试时出现频率翻倍！！！

Qucklly

设计了一个Ring_OSC（设计方法如图1）搭载Testchip进行，最后测试的时候有些die竟然出现了频率翻倍现象一直无法理解，有没有大神帮忙解释下是什么原因导致的！万分感谢！感觉要是能稳定倍频可以获得诺贝尔奖【手动滑稽】PS：
      1、总共搭了3条ring，分别是INV，NAND，NOR，201级
      2、wafer map中数据是周期时间，右下角有对应的前后仿真值
      3、封装测试中正常上电（先电源上电再打开EN端）倍频消失，先打开EN端再上电源可以出现倍频
      4、改变MOS管的宽长比再次流片可以得到优化

dgy_hy

回复 1# Qucklly


  级数是201级？如果级数太多是有可能出现谐波.

Qucklly

回复 2# dgy_hy  对的，是201级的电路，可以帮忙解释下出现谐波的原理么？或者有没有啥资料可以参考下。万分感谢~

gxy_831010

找到原因了吗，
核心震荡频率是多少，80Meg吗

Qucklly

回复 4# gxy_831010
基波频率和后仿结果相近的那个，周期在几百ns，不同种的频率不一样的。还没找到原因啊，你也有？

gxy_831010

周期几百n，是16分频后的还是核心震荡频率
没有，我只是好奇

tulipyjx

   

设计了一个Ring_OSC（设计方法如图1）搭载Testchip进行，最后测试的时候有些die竟然出现了频率翻倍现象一直 ...
Qucklly 发表于 2018-11-9 16:12

                               
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    16分频前的信号能看吗？应该先排除是否是分频器的问题