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[原创] Latch up Rule的难点

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发表于 2018-8-19 15:55:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    IC设计规则中,我们经常遇到有关Latch up rule的描述,这些规则由于不太容易在DRC Code中实现,因此,大部分Foundry给设计工程师的建议是:通过“目视”的手段来手工检查这些规则,这给设计留下了一些隐患。




Latchup Rule
最常见的规则是“隔离”或者“挡住”问题,如下:


1.JPG




    该规则要求在IO区域到内部区域必须有一个完整的Guard Ring隔离开,上图中左边图形是符合设计规则的,而右边图形是不符合设计规则的。



     看起来似乎很简单,但是,由于通用的DRC工具只支持2layer的相互关系检查,不支持3layer的几何操作,而隔离问题一般都是要求layer Alayer B之间必须有layer C的隔离,它是一个典型的3 layer操作,该如何解决呢?



     除了正对方向的隔离问题,斜线方向的隔离也是常见的规则,如下:



2.JPG



    上图中,从IO区域到内部区域不是正对的方向,而是斜线的方向,规则要求二者之间也要有Guard Ring隔离。可以看到,竖向的隔离层把虚线斜线区域全部隔离开了,符合规则。而横向的隔离层图形长度不够长,没有完全把IO到内部区域隔离,需要报错。



     那么,斜线的隔离检查又该如何做呢?



     除了IO区域与内部区域是否有GuardRing隔离的问题,同时隔离的Guard Ring还有顺序的问题,如下:



3.JPG



    左边图示从IO区域到内部区域是先PGuard Ring,后N Guard Ring,其顺序是正确的,而右边图形顺序反了,是不符合规则的。顺序问题该如何检查呢?




    不仅是IO区域到内部区域需要有隔离规则,内部区域的mos管如果total width比较大,同样也需要有隔离规则,如下:



4.JPG


     左图是一个totalwidth超过了一定范围的NMOS管,它右侧首先保证有一个Guard Ring把它与pmos管隔开,同时规则还要求pmos左边还要有一个VDD contactpickup把其与Guard Ring隔离。右侧图形,VDD contact的位置不对,没有位于pmos管与Nch之间,因此不符合设计规则。



    总结这些规则的共同点,“隔离”或者“挡住”问题是Latch up最基本的检查,所谓挡住就是指在layerA, LayerB之间检查是否有layer C的图形挡住。


     需求:提供一个三layer输入的基本命令


     常用的DRC工具只提供1layer或者2layer的检查命令,不提供三layer输入的检查命令。 如果利用DRC的多个命令组合来生成上述命令,由于普通的DRC命令会将不同图形的结果连成一片,会导致报错结果无法区分具体的区域,失去了检查的意义。如下图所示:




5.JPG


    上图中,黄色图形是IO区域,红色图形是内部区域的mos管,要检查在黄色图形与绿色图形之间在200um范围内是否有一个绿色的图形被隔离开。



    普通的DRC命令方法是:首先把红色图形和黄色图形做一个间距为200um的检查,把左右的报错结果组合成一个或多个多边形图形,然后判断这个多边形图形是否被绿色图形隔断了。



    上述方法的问题是: 当绿色图形只要位于200um的范围内隔离了某几个mos管,就会被判定为把所有的mos管都隔离开了。上图中的绿色图形与黄色图形之间还有几个红色mos管没有被实际隔离,但是DRC Code的间距检查由于把结果连接成了一个大片的图形,它无法判断方位,只能判断这个大片的图形是否有被绿色图形切开,因此出现了误判。



    有些DRC工具的间距检查提供了Shield的选项,试图只把最近的间距图形报错,不去把所有符合间距错误的图形都报错出来,试图避免这个问题。但是,Shield的选项是专门为了2层图形的检查设计的,它不是为了3层图形检查设计的。因此2层图形检查的结果输出是“边”,而不是图形。作为“边”是无法参与后续的3层图形操作的。如果把“边”再转换为很细的小图形去做后续的运算,则又陷入了“边”形成图形后连接成一片大的图形,无法区分方位和具体位置的问题,从而出现误判。



    因此,必须寻找一种方法:它可以把2layer之间被隔离的图形准确找到。这个方法实现困难吗?为什么大部分Foundry没有提供这样的检查?国内只有个别Foundry给用户提供了该问题的解决方案,他们的方案为什么采用了helmet的设计思路?该思路可以推广到其它Foundry吗?如果某些Foundry不提供该方案,IC设计公司可以自行写DRC Code实现吗?如何实现?



      请关注公众号:  microscapes8    该公众号会持续对相关问题进行分析和解释。


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发表于 2018-8-20 13:05:06 | 显示全部楼层
针对ESD和latch up 可以通过PERC来check
发表于 2018-8-20 13:51:05 | 显示全部楼层
回复 2# firewolf223


   请问PERC rule是工艺厂提供还是自己写?
 楼主| 发表于 2018-8-20 13:55:56 | 显示全部楼层
回复 2# firewolf223


     PERC工具是从电路角度进行的Latch up分析,不是从版图规则的角度进行的分析,因此针对版图规则的约束不好解决挡住或者隔离的具体约束。
发表于 2018-8-20 16:03:17 | 显示全部楼层
回复 3# terry8876


   基本上需要自己写,可以问fab 要,但是很多fab 都还不提供这个。  而且这个PERC的 rule,fab 一般也很难制定,都是一些经验。
发表于 2018-8-20 16:10:21 | 显示全部楼层
学习了,谢谢楼主
发表于 2018-8-20 16:11:01 | 显示全部楼层
回复 4# houjs


   PERC 也不完全算是从电路角度,它只是检查了schematic,并没有任何电路的simulation。   总的来说PERC 是把整个PDK 串起来的一个tool
发表于 2018-8-21 13:43:12 | 显示全部楼层
回复 1# houjs


   3层layer的规则都可以用多个2层layer的规则实现吧。
 楼主| 发表于 2018-8-21 14:08:45 | 显示全部楼层
回复 8# liudin


       这个3 layer的命令难点在于:  用2个layer的组合来实现,前一条命令的结果作为后一条命令的输入,会导致这个中间layer的图形连成一片,无法分割成多个分离的图形,从而使得后续的运算无法进行。
发表于 2018-8-21 15:22:23 | 显示全部楼层
回复 9# houjs


   我的意思是3层layer运算可以看成是3元逻辑,任意3元逻辑都可以等价拆成多个2元逻辑的组合。即使语法上有3元操作数,具体实现的时候还是要转成2元的,vendor和foundry其实都不鼓励最终用户自己写rule,熟悉的用2元就搞定了。
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