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查看: 6811|回复: 15

[求助] 怎么解释mos管静态工作点显示的gm与计算值不同的问题??

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发表于 2018-7-30 16:40:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如图所示:mos管的静态工作点显示gm=20m,但若用gm=2*Id/(vgs-Vth)计算,则是49m,请问这如何解释??
发表于 2018-7-30 16:55:06 | 显示全部楼层
在Vov很小的情况下,Vov的设计方法已经不适用了,要用gm/Id的设计方法了
 楼主| 发表于 2018-7-30 17:40:17 | 显示全部楼层
回复 2# rayhardenne

谢谢你的回答,你说的Vov是过驱动电压吗,我这个过驱动电压显示Vod=40.8mV,请问适用于你说的Vov方法吗,另外,请问你说的gm/Id是什么设计方法,与你说的Vov设计方法有什么异同,烦请详细说明一下,谢谢你!!!
发表于 2018-7-31 08:35:54 | 显示全部楼层



http://bbs.eetop.cn/thread-622998-1-1.html这个帖子讲的挺详细的
发表于 2018-7-31 08:36:16 | 显示全部楼层
回复 3# liliheqing


   http://bbs.eetop.cn/thread-622998-1-1.html这个帖子讲的挺详细的
 楼主| 发表于 2018-7-31 08:44:20 | 显示全部楼层
回复 5# rayhardenne

好的,我看看,谢谢你
 楼主| 发表于 2018-7-31 09:22:13 | 显示全部楼层
回复 5# rayhardenne

你好,另外我想请教下,静态操作点列出来的参数可以用来做简单的计算吗,就是说用他给出的参数计算与实际的工作情况相比较差别大吗,谢谢你。
发表于 2018-8-6 15:44:55 | 显示全部楼层
回复 3# liliheqing

我觉得其实在这里真实的过驱动电压应该不是你用vgs-vth算出来的那个40.8mv的值了,而是你表上面直接显示的vdsat。也就是说比如平时工作在饱和区需要满足vds > vgs - vth, 在这里变成了vds > vdsat即可。
至于为什么vdsat在这里不等于vgs - vth 论坛里面有帖子谈到这个问题了的,其实也可以侧面回答你提出说算的和显示的gm不同。
这里的计算只能说作为一个估算,因为实际用的计算模型已经不是简简单单书上讲的那个模型了。
发表于 2018-8-29 13:53:56 | 显示全部楼层
首先要明确你使用的process是什么,对于long channel process(L>=1um)的手算推倒gm=2ID/(VGS-VTH)跟spice几乎是很接近的,如果是short channel process(L<=1um)的就不能使用你那个手算公式了,应该是gm=VSAT*COX*W,其中VSAT为载子饱和速度,跟Length的取值有关。对于现在常用的process如0.18um或0.35um或90nm等都应该使用gm=VSAT*COX*W来手工计算,这时跟spice的结果接近。
发表于 2018-8-29 19:06:35 | 显示全部楼层
这个需要对于MOS器件重新认识一下。只有长沟器件才能近似用平方率模型来描述MOS器件的I-V特性。但这并没有考虑器件的各种二级效应。所以平方率模型总的来说是让大家对电路有个定性认识理解。现在业界软件中模拟用到的器件模型为BSIM。其模拟得到的器件参数较为精确,综合考虑了各种效应。所以手算和你模拟出来的会有差别。而且平方率忽略了器件一些有意思的特性,比如亚阈值特性。所以对于器件,要考虑你所用的模型是否适用。而gm/Id的设计方法就是利用仿真得到的参数来预估器件的设计尺寸。
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