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查看: 2512|回复: 4

[求助] [求助]关于功率管Ron

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发表于 2018-6-12 09:55:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
400资产
q.jpg
工艺库Ron描述如下,个人认为是1平方毫米的功率管对应的Ron。这个值和仿真的值差异很大,是怎么回事?一般80Vdmos一平方毫米的功率管对应的Ron是多少?求教!

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回复 3# 774612343 温度影响的确挺大的,有的时候甚至大一倍以上。你是直接调入PDK填W,M值生成约一平方毫米面积MOS LAYOUT么?然后把W,m带入仿真,还是根据单个MOS 的layout面积计算的呢?
发表于 2018-6-12 09:55:46 | 显示全部楼层
回复 3# 774612343


    温度影响的确挺大的,有的时候甚至大一倍以上。你是直接调入PDK填W,M值生成约一平方毫米面积MOS LAYOUT么?然后把W,m带入仿真,还是根据单个MOS 的layout面积计算的呢?
发表于 2018-6-12 11:14:30 | 显示全部楼层
功率管导通阻抗不能完全按照单位面积计算,比如工作温度,栅宽栅长,比如功率管面积在什么范围内是遵循线性关系。
 楼主| 发表于 2018-6-12 11:29:39 | 显示全部楼层
回复 2# powerboy711
感谢您的解答。管子L是固定的,我是算了1平方毫米能做的管子的W总和(实际layout中1平方毫米可能做不了这么多管子)带进去仿真的。在-40度的时候,ron都比给的参考值大,并且Hside和Lside的管子Ron受温度影响都特别大。 感觉那个值没什么参考意义。
 楼主| 发表于 2018-6-12 17:31:53 | 显示全部楼层
回复 4# powerboy711
    感谢您的解答,我是算了1平方毫米大概能做多少个管子,然后把对应的W L值带入电路进行仿真的。差别特别大,阻值大一倍。而且是-40度时的阻值,到160度大4倍都不止。所以感觉比较奇怪。
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