SRAM预充电是所有bitline都预充还是只有部分预充？

wjxh950210 · 发表于 2018-4-8 20:01:54

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比如一个256word*128bit的阵列，8位进行存取。每个cell连两条bitline，在读数据的时候是：1）所有128*2条bitline都预充，然后再用选择器选出8个数据来
2）只有被选中的8*2条bitline进行预充，剩下的所有bitline都不进行预充
是以上两种情况的哪种呢？
另外SRAM的动态功耗主要产生于哪部分呢？是bitline的预充电、灵敏放大器、字线驱动还是解码器部分呢？我感觉应该是bitline吧，因为一条bitline上挂载了太多的单元，负载比较大？

hehuachangkai · 发表于 2018-4-9 09:33:45

都做precharge，只不过没读的那部分已经到1了，没有precharge动作而已吧。动态功耗主要wordline和bitline吧。。

lilyhe · 发表于 2018-4-9 11:15:37

在进行读操作或者写操作之前，都要进行precharge，以防漏电。动态功耗除了wordline bl，cell和precharge电路也会消耗功耗，你可以保存电流看一下占的比例

wjxh950210 · 发表于 2018-4-9 18:45:52

回复 2# hehuachangkai

都做precharge的话，没有被多路选择器选到的那些bitline应该也是会每次都耗电的吧，因为wordline被选中了，对于这条wordline上的所有bitcell都会进行读操作，而标准sram单元是差分结构，每次读一定会有一条bitline放电，下次预充就会再次被充到高电平。我也觉得主要的功耗应该是在wordline和bitline上的，但是有人说主要发生在灵敏放大器上，因为bitline可以不用满摆幅，只要有细微的电压差比如一二百毫伏，能被灵敏放大器捕获到然后进行翻转就可以，因此满摆幅翻转的灵敏放大器是主要的动态功耗来源。可是显然灵敏放大器带的负载电容比bitline要小很多呀，所以就很纠结

pipiw · 发表于 2018-4-10 21:19:13

关键是时间，部分预充应该省电，但需要知道读取地址才能开始预充，影响access time

wjx197733 · 发表于 2018-4-12 21:25:37

楼主，给sram供电的的ldo您是怎么设计的？

wjxh950210 · 发表于 2018-4-17 11:49:47

回复 6# wjx197733

不好意思我不研究那部分所以不清楚

wjxh950210 · 发表于 2018-4-17 11:52:13

回复 5# pipiw

嗯很有道理！

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