模块版图绘制及工艺选择问题

ep_lq · 发表于 2017-9-26 21:01:47

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设计一款电路将正转负电荷泵和负压LDO集成在一起，正转负电荷泵衬底电压是GND，而负压LDO衬底是-5V，在绘制版图时对如何处理两个子电路呢？

可选工艺是MXIC 和TSMC ；MXIC有 NWELL 、PWELL、 NBL层
TSMC有NWELL 、PWELL、 NBL、HVNWELL、DNW、DPW 和iso_ring
有一个想法是：负压LDO整块放到一个阱中与衬底隔离开，整块LDO的衬底仍设定为-5V，芯片衬底电位定为GND；这样对工艺有什么具体要求？选择哪个合适呢？

lwq_119 · 发表于 2017-9-27 08:37:05

回复 1# ep_lq

用DNWELL，做区分。芯片底部还是用GND，不要用负压

rocket_wang · 发表于 2017-9-27 09:38:37

回复 2# lwq_119 请教一个问题，如果我一个反相器时0到-3.3电压的，PMOS 源和衬底都接GND NMOS源和衬底接-3.3 这样PMOS版图如何处理呢，TSMC工艺40LP中没有Pmos的DNW 器件。不胜感激

rocket_wang · 发表于 2017-9-27 10:11:36

回复 2# lwq_119

请教前辈一个问题，我需要做一个在0到-3.3V电源的反相器，PMOS 源端和衬底接GND，NMOS源端和衬底接-3.3.工艺是TSMC40 LP 只有NMOS有dnw管子。pmos没有。能否可以在版图上实现呢？

这张图 DNW 和NW一个0 一个3.3会短路啊。请教了

lwq_119 · 发表于 2017-9-27 11:03:44

回复 4# rocket_wang

这图是你画的还是desgin rule 上给的？

ep_lq · 发表于 2017-9-27 12:42:48

TSMC .25um 工艺有DNW ,把整块LDO子电路(内有MOS R C BJT )放在DNWLL 上，这涉及到LDO 电路器件类型，有两个想法:1. 选择时考虑低压管，所有器件不必有DNW层。2.所有器件必须有DNW层。这关系到LVS 可否顺利通过。请问大师，怎末判断呢？

ep_lq · 发表于 2017-9-27 12:45:51

这个图上接-3.3V的是哪层呀，是工艺自带的管吗

ep_lq · 发表于 2017-9-27 13:45:46

回复 2# lwq_119
用DNW 做隔离,有一点请教您:
DNW上LDO 电路括块包括MOS R C BJT 这几类器件，其中哪些类器件需要选择有DNW 层的？是不是必须选用带DNW 的器件呢？

lwq_119 · 发表于 2017-9-27 16:23:55

回复 8# ep_lq

正负压的涉及到的器件都要用DNW

ep_lq · 发表于 2017-9-27 17:31:29

回复 9# lwq_119
1.DNW 上做的负压LDO的所有器件，PMOS的S端口和B端口接高电位GND，D端口是负压，NMOS 是负压，电阻和电容电位也是负压，负压基准的BJT也是负压，这些都需要用带DNW 层的管子，我这样理解对不？
2.NBL 和DNW 两者有什麼区别呢？这里能用NBL 层隔离整体NLDO 吗？求大师解惑

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