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[求助] region判别MOS管工作区;以及vdsat、vds、vgs-vth之间的关系

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发表于 2017-7-14 20:21:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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region和vdsat的问题.png
在前仿中,在Results Display Window中,
1、如何根据region的值判断MOS管工作在哪个状态?
2、vdsat、vds、vgs-vth之间的有什么样的关系,能否直接用vsat判断管子的工作状态?
求大神解答,谢谢!
发表于 2017-7-15 20:15:38 | 显示全部楼层
Hi,
1. region=0,1,2,3应该分别对应MOS管的截止区,线性区,饱和区和亚阈值区
2. Vdsat在长沟道工艺下等于Vov=Vgs-Vth,但在先进制程下已偏离Vov,具体解释论坛里有人发过你可以找下,另外可以根据Vds-Vdsat来判断管子的工作状态,比如Vds-Vdsat>0就认为在饱和区了,实际设计中还会留一定DC margin,
坐等高手讲解~
 楼主| 发表于 2017-7-18 20:40:25 | 显示全部楼层
回复 2# hustcg
谢谢你的解答,第一个问题没有疑问了。第二个,之前也在论坛上看到哪个帖子,当考虑到长沟道效应的时候,Vgs-Vth=Vdsat,只要Vds>Vgs-Vth,MOS管进入饱和区,而在实际中不仅存在长沟道效应,也存在这短沟道效应,这个时候MOS管会发生速度饱和(也就是提前进入饱和状态),此时就会出现Vdsat比Vgs-Vth小很多的情况,决定MOS管的饱和状态的不是Vgs-Vth的值,而是Vdsat的值,只要Vds大于或等于Vdsat的值,就认定进入饱和状态。那我在前仿中,只要Vds大于或等于Vdsat的值,就判断进入饱和区呢?
发表于 2017-7-18 21:38:58 | 显示全部楼层
回复 3# 打不倒的小强

嗯,你可以看到当Vds>Vdsat的时候,MOS管的region就会对应为2,但design的时候还是要考虑PVT的影响,让Vds-Vdsat大于某个经验值才比较安全。
 楼主| 发表于 2017-7-19 07:42:05 | 显示全部楼层
回复 4# hustcg
这个经验值一般会是多少呢,是不是还跟其他的因素有关呢,比如说工艺不一样,这个经验值就会不同
发表于 2018-10-14 11:38:50 | 显示全部楼层
回复 5# 打不倒的小强


   大佬,可以一起学习下吗,也正在接触这一块
发表于 2018-11-4 20:18:40 | 显示全部楼层
回复 4# hustcg
还真是哎,收下我的仿真图片
捕获.PNG
发表于 2018-11-6 15:40:58 | 显示全部楼层
vds 的取值 还可以看看 ro=1/gds 的值
发表于 2018-11-6 17:39:25 | 显示全部楼层
3楼说的对
发表于 2019-1-18 14:02:55 | 显示全部楼层
回复 3# 打不倒的小强


   谢谢分享!
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