mos管的选择

hudongyang · 发表于 2017-4-12 16:08:00

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请问一下，芯片的工作电压是2.5v到5.5v，想用mos管搭电路，如何选择mos管，是选择1.8v的耐压值，还是3v，还是5v。如何选择。那个大神给一下指导。

revengeryyy · 发表于 2017-4-12 17:55:25

一般来说mos耐压要选取比电源电压更高的值，这样最保险。
若受工艺限制可以考虑用cascode形式，分摊一些管子上的vds。

hudongyang · 发表于 2017-4-13 09:06:32

谢谢呀，另外我还想问一下，那些耐压值不同的管子，是不是就只是耐压值不一样，其它特性都一样呀。希望继续指导一下。

andy2000a · 发表于 2017-4-13 09:43:16

谢谢呀，另外我还想问一下，那些耐压值不同的管子，是不是就只是耐压值不一样，其它特性都一样呀。希望继续指导一下。...
hudongyang 发表于 2017-4-13 09:06

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耐压值不同的管子是不同
可能oxide 不同 ,
vth都不同,

特性怎会一样
??一般
5.5v只能使用耐得住
特别是要考虑
vgs vds .

先找代工厂会有
qualify report 会写多高电压耐多久
.

除非你要偷rule拿
2.5V去赌
breakdown
>5V .

一般如果拿
超过电压最好流片后使用
olt去耐化
一般是168hr->500hr-> 1000hr .

因为代工厂给你只是他们测过
,

虽然说一般5vmos
io breakdown VDS=10v .
VGS一般<7v ,

但实际使用碰到
有的vds
spike > 11v 还活, 但是
有的会烧掉
. caseby case
.

还有碰过流片
vgs>
某些BV ,

MOS 发生leakage找很久 .. 但是
gate漏又很小
..但是推论应该是漏电
出问题
.

电路设计没考虑好才有spike 但是会伤到 mos .

hudongyang · 发表于 2017-4-13 14:34:14

回复 4# andy2000a
多谢指导。

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