FINFET为什么能抑制short channel effect啊？

icfbicfb

finfet彻底消除了latchup 效应，不用加tapcell，

pro_weifeng

学习了。

siliconymw

good 学习了

yangsha_hust

对于平面晶体管，gate对channel的控制只有靠近gate oxide的比较薄的区域，远离gate oxide的bulk区域就会成为leakage通道。
对于FinFET，因为gate对Channel三面都包围，所以对channel的控制能力很好，漏电流只能从Fin的下面流过，而那边电流比较小。

13220577402

好的。谢谢

13515102587

学到了很多知识

LINYOUJIE

1. leakage path往往发生在远离沟道栅氧的地方（Gate对该处的控制能力较弱），减薄沟道厚度就可以减少leakage，基于此原理，出现了平面ultra-thin body（FD-SOI）和立体鳍式沟道（3D FinFET）。
2. MOS本身是Gate和Drain控制力协调的结果，其发展本身原则是增加栅极控制力，削弱漏极控制力。所以在平面时代，针对gate端增强进行了诸如GOX，栅极氮化等优化，针对源漏进行untra-shallow junction，thermal control等方式。进入到FinFET时代，源漏采用应力工程，其profile，Conc.的优化也可以改善DIBL

andy2000a

对于平面晶体管，gate对channel的控制只有靠近gate oxide的比较薄的区域，远离gate oxide的bulk区域就会成为 ...
yangsha_hust 发表于 2017-3-22 10:58

                               
登录/注册后可看大图

FROM KKNEWS

FinFET称为鳍式场效电晶体(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)电晶体。
闸长已可小於25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。
Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据电晶体的形状与鱼鳍的相似性。

发明人
该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明（ChenmingHu）教授。
胡正明教授1968年在台湾国立大学获电子工程学士学位，1
970年和1973年在伯克利大学获得电子工程与计算机科学硕士和博士学位。现为美国工程院院士。
2000年凭藉FinFET获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖
（DARPAMostOutstandingTechnicalAccomplishmentAward）。
他研究的BSIM模型已成为电晶体模型的唯一国际标准，培养了100多名学生，许多学生已经成为这个领域的大牛，
曾获Berkeley的最高教学奖；於2001~2004年担任台积电的CTO。


在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上。
   从Intel   Core  i7-3770之後的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。
由於FinFET具有功耗低，面积小的优点，台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）等主要半导体代工已经开始计划推出自己的FinFET电晶体]，为未来的移动处理器等提供更快，更省电的处理器。从2012年起，FinFET已经开始向20纳米节点和14纳米节点推进。


SOI和体矽的FinFET器件具有相类似的性能，体矽FinFET器件的制备流程将更为复杂。
在SOI晶圆上，氧化埋层隔离了分立的电晶体，而在体矽器件中，隔离作用则必须通过晶圆工艺来形成。
我们将证明，由於体矽FinFET工艺更为复杂，使得器件的差异性达到SOI的140%～160%，
并会对制造和工艺控制产生严峻的挑战。

虽然SOI基片更为昂贵一些，但更为复杂的体矽FinFET工艺成本的增加大体上已抵消了这部分开销，
从而使得在大批量生产时其成本能与体矽工艺大体上相当。



当半导体业界向22nm技术节点挺进时，
一些制造厂商已经开始考虑如何从平面CMOS电晶体向三维（3D）FinFET器件结构的过渡问题。

与平面电晶体相比，FinFET器件改进了对沟道的控制，从而减小了短沟道效应。平面电晶体的栅极位於沟道的正上方，
而FinFET器件的栅极则是三面包围着沟道，能从两边来对沟道进行静电控制。


...

虽然说台积电TSMC 的7nm工艺在技术节点与英特尔的10nm非常相似，
但台积电已经大有赶超英特尔之势。
7nm制程的FinFET工艺最快要到明年才能面世，7nm也是FinFET工艺的极限，再往下的节点只能看EUV光刻机。

    當半導體業界向22nm技術節點挺進時，一些製造廠商已經開始考慮如何從平面CMOS電晶體向三維（3D）FinFET器件結構的過渡問題。與平面電晶體相比，FinFET器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應。平面電晶體的柵極位於溝道的正上方，而FinFET器件的柵極則是三面包圍著溝道，能從兩邊來對溝道進行靜電控制。

原文網址：https://kknews.cc/zh-tw/news/prem2z.html
當半導體業界向22nm技術節點挺進時，一些製造廠商已經開始考慮如何從平面CMOS電晶體向三維（3D）FinFET器件結構的過渡問題。與平面電晶體相比，FinFET器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應。平面電晶體的柵極位於溝道的正上方，而FinFET器件的柵極則是三面包圍著溝道，能從兩邊來對溝道進行靜電控制。

原文網址：https://kknews.cc/zh-tw/news/prem2z.html當半導體業界向22nm技術節點挺進時，一些製造廠商已經開始考慮如何從平面CMOS電晶體向三維（3D）FinFET器件結構的過渡問題。與平面電晶體相比，FinFET器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應。平面電晶體的柵極位於溝道的正上方，而FinFET器件的柵極則是三面包圍著溝道，能從兩邊來對溝道進行靜電控制。

原文網址：https://kknews.cc/zh-tw/news/prem2z.html

當半導體業界向22nm技術節點挺進時，一些製造廠商已經開始考慮如何從平面CMOS電晶體向三維（3D）FinFET器件結構的過渡問題。與平面電晶體相比，FinFET器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應。平面電晶體的柵極位於溝道的正上方，而FinFET器件的柵極則是三面包圍著溝道，能從兩邊來對溝道進行靜電控制。

原文網址：https://kknews.cc/zh-tw/news/prem2z.html

bella427

您好，能详细介绍一下HKMG的制程吗？给你红包哦

bella427

到底是怎么样的啊？