如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？

jiang_shuguo · 发表于 2016-11-28 14:55:57

500nA电流也太大了吧，能做到50nA才算小

fuyibin · 发表于 2016-11-28 15:20:29

回复 fuyibin

做过的都有感触吧，三极管功耗很大的
雪走之魂发表于 2016-11-26 11:23

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用亚阈值mos在很久以前试过，但是都不能cover process variation，调好的温度系数在FF、SS下都shift的不成样子
我觉得亚阈值mos与bjt相比，也不一定功耗低很多，这取决于mosfet亚阈值的model和bjt model的准确性
如果bipolar model是准确的话，bipolar工作在10nA或100nA，也能让整体功耗控制在500nA 以内咯

bright_pan · 发表于 2016-11-28 16:24:39

有没有人做过这种bandgap? 结构，温飘，离散度如何？

雪走之魂 · 发表于 2016-11-30 08:43:29

回复 12# fuyibin

很有道理，毕竟三极管利用的是比值的原理，mos管通常是为了节省面积才使用的，而亚阈值缺点太多了，温漂在工艺角上有残缺就不再提了，关键是电源抑制比也得不到基本的保证，这样对后面电路的噪声抑制基本没作为，感觉不是很适合放在芯片里。

雪走之魂 · 发表于 2016-11-30 08:46:15

回复 13# bright_pan

我就做过啊，就是因为缺点比优点多了太多，所以才想发个帖子讨论讨论，温漂很难控制的，做好了一个工艺角，另外两个就得血崩，电源抑制比特低，还不好上去，电压调整率也废，优点就是功耗小面积小，可是其他参数都不好，有毛用……

[讨论] 如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？

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