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楼主: USTM

请教一个低电流基准设计问题,非常感谢!

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 楼主| 发表于 2008-2-21 17:20:41 | 显示全部楼层


标准工艺0.6uM.基准的电阻和输入电压采样电阻都用的很大,目前已经用到几兆电阻了,个人在猜想ONSEMI是不是基准采用的什么特殊结构和工艺来做的.
目前还没有流片出来,因为发现MAXIM和ONSEMI的比较器传输时延很短,低于1us,所以还在改比较器,可能得采用高速比较器,担心其功耗啊!头大中!
发表于 2010-5-6 17:16:13 | 显示全部楼层
pA级的振荡器我都搞出来过。不过电源要求高,温度特性特性差。。。
发表于 2016-9-13 22:17:19 | 显示全部楼层
你的带有电阻的Q管的面积要很小很小,Q2/Q1比1大一点就可以,这样在小电流时,R1很小,Q3的面积要大,减小R2/R1的值,这样R2
也就小了
发表于 2016-9-14 12:24:59 | 显示全部楼层


你的带有电阻的Q管的面积要很小很小,Q2/Q1比1大一点就可以,这样在小电流时,R1很小,Q3的面积要大,减小R ...
914625602 发表于 2016-9-13 22:17



这样的方法你试过?
Q2/Q1比例减小是在牺牲ΔVbe,导致mismatch很严重,最终的vref的sigma值太大
发表于 2016-9-14 14:11:53 | 显示全部楼层
别人的不知道,smic的我试过,一个BGR 5uA功耗,整体,主要的BJT那里分别是1uA,2uA这样子,出来温度特性还好,但离散度很差,仿真只有+、-60mV的偏差,但测试都有+/- 200mV的,一些芯片。
发表于 2016-9-14 14:13:04 | 显示全部楼层
回复 1# USTM


   你要求功耗小,电阻大是必然的,我都整个用了6Mohm的电阻。
发表于 2020-8-10 09:16:05 | 显示全部楼层


bright_pan 发表于 2016-9-14 14:11
别人的不知道,smic的我试过,一个BGR 5uA功耗,整体,主要的BJT那里分别是1uA,2uA这样子,出来温度特性还 ...


蒙特卡洛仿真±60mV?
发表于 2020-12-14 16:22:46 | 显示全部楼层
学习了,谢谢
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