减少阻抗的问题

ic_shuo · 发表于 2016-6-24 12:48:49

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求助大家，在IO中GND用Metal3和Metal4出线，在IO之间的通路上用metal1&metal2&metal3&metal4和metal5把GND连接，然后如果有core连出的GND连到这条通路上会起到减少阻抗的作用吗

ic_shuo · 发表于 2016-6-27 09:06:08

有没有大神给指点一下啊

suly · 发表于 2016-6-27 09:30:11

正常就是这么做的

ic_shuo · 发表于 2016-6-27 09:44:36

回复 3# suly

我重要是对在IO里只有metal3和metal4,在IO之间的连线却是metal1到metal5感到疑惑，这样的连线为什么会降低阻抗，仅仅是加宽了线，用不用从IO在别的地方连接一下，不然会不会造成瓶颈问题

suly · 发表于 2016-6-27 10:15:46

回复 4# ic_shuo

多层连线就是并联阻抗就会低很多

ic_shuo · 发表于 2016-6-27 10:31:44

回复 5# suly

那对于电流会造成瓶颈吗？毕竟IO的出线只有metal3和4

zgf85644958 · 发表于 2016-6-27 17:39:11

回复 6# ic_shuo

只要出线金属过电流能力够就行

ic_shuo · 发表于 2016-6-27 17:53:27

回复 7# zgf85644958

谢谢你的回答

Snowy2016 · 发表于 2016-6-29 09:09:04

一般来说，IO的连线不太建议用太多层metal叠加来增加total的宽度，因为ESD是很快速的，它不一定会在各层金属上去均分（电流可以想成是水流），所以容易打坏。

Snowy2016 · 发表于 2016-6-29 09:14:31

补充一下，从power/ground PAD要给core供电，最好从PAD进来经过clamp之后接近core powerline的metal，所以不建议从上面图中M1~M5连接的位置接近core powerline。
个人观点！

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