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[求助] LDO调整管尺寸的确定

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发表于 2016-6-17 16:37:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,我用的tsmc65nm做LDO,调整mos管的能设置的最大宽长比为900u/130n,我觉得调整能力不够,请问怎么能继续增大宽/长比?
发表于 2016-6-17 16:43:53 | 显示全部楼层
调整“mult”值。即有多少个mos管并联。

或者在mos管名称里面使用bus命名:  MN1<99:0>
这样也表示有100个MOS管并联。
 楼主| 发表于 2016-6-17 19:58:04 | 显示全部楼层
谢谢您的解答;
在看Mora教材的时候,图中划线部分的内容不太理解,麻烦帮我解释一下;
再者,我想知道LDO的环路增益对LDO性能有什么影响?

图1

图1
发表于 2016-6-17 20:28:22 | 显示全部楼层




    65nm nmos  Lmin 为何使用 0.13um ?

还是你使用 IO device . io device 有些还有 IO ESD rule 会更差 .

nmos 900u/0.13um 为何不做成
  200u/013um M=1000
还是调节电流会到多大 ?
 楼主| 发表于 2016-6-17 20:48:00 | 显示全部楼层
回复 4# peterlin2010


Tsmc65n中,大尺寸的Pmos的Lmin只能设置到130nm;目前预设的调节电流最大20mA;
刚开始做LDO,希望传授点经验
发表于 2016-6-17 20:59:32 | 显示全部楼层


回复  peterlin2010


Tsmc65n中,大尺寸的Pmos的Lmin只能设置到130nm;目前预设的调节电流最大20mA;
...
Augustin90 发表于 2016-6-17 20:48




    没有使用过 65nm TSMC
何为大尺寸的Pmos的Lmin只能设置到130nm ?

大尺寸多大叫大
200u/0.13um   如果改设计使用 100u/0.065um
发表于 2016-6-18 16:05:07 | 显示全部楼层
对于大MOS管尺寸的问题,调出单管的W/L会有一个限制值的,但是可以增加multi个数,来达到你需要的值;
至于你提到的第二个环路增益对LDO的影响的问题,这个环路增益通常指开环增益,它会影响到分辨率、响应速度,PSRR,noise等,环路增益越大,分辨率越高,响应速度低,PSRR和noise性能更优。
发表于 2016-6-20 12:33:04 | 显示全部楼层
回复 5# Augustin90

应该说 高压MOS Lmin 0.13um低压的是 65nm
发表于 2016-7-7 22:12:20 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2023-4-12 19:50:48 | 显示全部楼层
想知道一般的LDO功率管的宽长比,我的1mm/200nm正常吗
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