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[求助] 关于拉扎维教材P310图11.2产生与电源无关的偏置

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发表于 2016-5-30 09:48:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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关于拉扎维教材P310图11.2产生与电源无关的偏置那个图,我进行仿真时,发现电流随电压变化蛮大的,不知道问题出在哪里,麻烦帮忙解答一下(我的设计思路是,根据I公式,设阈值电压为0.3然后根据I公式求得W/L,然后可以得到4个管子的W/L),,电路图和仿真图如下 QQ截图20160530093504.png 1.png
发表于 2016-6-4 19:11:24 | 显示全部楼层
M7下面漏放了一个电阻,书上说得很清楚了
 楼主| 发表于 2016-6-4 19:27:42 | 显示全部楼层
回复 2# math123


   嗯,电阻是为了确定电流,但现在这个图按书上说的应该是与电源无关的才对啊~,但是还是与电源有关的
发表于 2016-6-4 19:46:11 | 显示全部楼层
PMOS电流镜决定了两路电流相同,你设的NMOS大小也相同,由于对称,将M7 M6的漏短接效果是一样的,你可以看到VDD=2VGS,所以电流会随VDD变化
 楼主| 发表于 2016-6-4 22:25:32 | 显示全部楼层
回复 4# math123


   嗯,非常感谢你,我想问一下,会不会出现M5的漏比M8的漏低很多,同样,M7的漏比M6的漏高很多这样的情况呢,当然这个时候都是工作在饱和区的
发表于 2016-6-4 22:49:25 | 显示全部楼层
不会出现这种情况的,假设M5的漏比M8的漏低,由MOS管的方程,M5的电流比M8的电流大;但从NMOS看,又可推出M7的电流比M6的电流大,所以两者是矛盾的,M5的漏和M8的漏电压一定会相等的
 楼主| 发表于 2016-6-6 22:39:56 | 显示全部楼层
回复 6# math123
谢谢你哈,也就是在实际分析中,我们始终不认为管子饱和时曲线水平了
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