反相器放电电流的计算

xinleiye · 发表于 2016-4-29 17:03:42

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设计了一个反相器，输入一个方波信号，上升和下降时间给的1ns; 问题：在输入信号上升过程中，我取一个点，保证NMOS工作在饱和区，根据饱和区的模型计算漏端的电流是仿真的漏电流的2倍左右，不知道问题出在哪了，还请大神指教

leehying · 发表于 2016-4-29 20:03:23

帮顶，仿真模型和计算模型一样吗

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billlin · 发表于 2016-4-29 23:38:53

其中一個原因是:
MOS饱和区的模型會准是在MOS Long Channel 時,
即 L等於大於 1um,
如果是short channel MOS,
饱和区的模型只可以近似,
手算鐵定跟仿真的值不一樣.

xinleiye · 发表于 2016-4-30 09:14:50

回复 3# billlin

我单独仿真管子的时候，根据print出来的β，利用长沟近似公式1/2β（Vgs-Vth）^2，计算结果与仿真结果十分接近；现在问题是反相器输出放电过程中计算的电流与仿真电流偏差太大

billlin · 发表于 2016-4-30 12:50:05

Reference:

Inveter_DC_Transfer_Characteristic.pdf (107.57 KB, 下载次数: 58 )

[求助] 反相器放电电流的计算

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