关于更改CT孔和CT孔到POLY距离的问题

hhs_love · 发表于 2015-12-16 08:31:17

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asmc1.2工艺 CT 孔大小为1.2*1.2um^2 ; CT TO POLY 1.2um
asmc0.5工艺 CT 孔大小为0.4*0.4um^2 ; CT TO POLY O.3um

我用的是1.2工艺，公司希望采用0.5工艺做CT孔，以及将CT到POLY的距离拉到0.3um ，其他按1.2工艺做，这样的话会不会有什么风险，是否影响mos管的性能？

tuohong · 发表于 2015-12-16 09:51:42

首先
第一：要确认工艺能实现。
前后道用不同的特征尺寸，好多fab都可以做，你公司让你这样做，应该是确认过这个了，包括机台、mask都能达到这个精度。如果这个都不确认，建议你换一家公司。
第二：根据第一条，要确认fab有相应的量产经验，如果仅仅是理论可能，实际生产过程中会给你带来很大麻烦，包括沟通、问题解决责任人、时间、良率、产能以及其他很多偶发问题。
第三：这样做model肯定是不准的。仿真器调用的器件的好多参数还是默认那个1.2工艺的，现有model只能做参照，设计要留裕量，这个跟你没关系了，是项目经理和电路设计人员的事儿。这一条就是你提到的、是否会影响到晶体管的性能，答案是肯定的。
第四：由此带来的erc的变化，比如说contact过电流能力相应的变化等等。（此处默认design rule不是问题了）
第五：由此带来的command file更改带来的风险。

暂时想到这么多，欢迎大家补充。