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查看: 11958|回复: 17

[求助] ESD触发电压太大会不会引起ESD失效?

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发表于 2015-10-27 15:33:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如上图所示,楼主最近做的项目里面FAB提供的GGNMOS、GDPMOS的触发电压都是10V以上,而系统是6V的器件,击穿电压很多都在在8-10V,求问,这样用这个GGNMOS、GDPMOS做ESD不会还没触发就击穿了吗?欢迎各位指导。
发表于 2015-10-28 14:24:57 | 显示全部楼层
trigger电压过高,风险很大啊。
发表于 2015-10-28 15:44:32 | 显示全部楼层
6V器件的击穿电压8~10V,你说的BVSD还是栅氧?
 楼主| 发表于 2015-10-28 17:40:06 | 显示全部楼层
回复 3# hszgl


    BVDSS,栅氧是13V左右,这里面GDPMOS就是12V以上了
发表于 2015-10-29 13:00:57 | 显示全部楼层
回复 4# 追风的孩子


    差不多了。栅氧击穿是直流,而ESD是瞬间放电。如果ESD的开启电压太低了,芯片的耐压效果也没有了。
发表于 2015-10-30 10:07:00 | 显示全部楼层
本帖最后由 fuyibin 于 2015-10-30 10:11 编辑

普遍都是trigger电压在VDD的2倍左右,甚至更大一点
短时间内的2倍overstress不会使得gate oxide breakdown
ggnmos利用snapback特性来做ESD保护
这通常是用在在2.5V/3.3V及更高电压、更大尺寸的器件
现在的低压core device通常不能使用snapback特性来做ESD保护
 楼主| 发表于 2015-10-30 10:31:12 | 显示全部楼层
回复 6# fuyibin

    谢谢您的解答,我是这么理解的,Vtri可以大于BV,但是vh不能大于BVDSS,也不能大于栅氧击穿电压,因为触发是短时间内不会击穿栅氧,但是如果泄放时候电压都大于BVDSS就可能会引起器件烧毁,比如这里面的GDPMOS的泄放时候电压就14V以上,即使多个并联也是12V以上,而普通的管子BVDSS就在8V左右,可能会一直击穿烧毁,这样理解对不对呢?
  顺便问一句,现在低电源系统不能用snapback特性做ESD是因为触发电压本来就很小是吧,没有多少回折的余地?
再次感谢并期待您的解答!
发表于 2015-10-30 14:54:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 fuyibin 于 2015-10-30 15:07 编辑

回复 7# 追风的孩子

是这样的,Vh高,就像那个pmos没有snapback特性就失去了ESD保护的功能
所以大家一般都用ggnmos,很少有人用pmos
对于低压器件,主要是因为ggnmos的工作原理是需要nmos drain端pn结反向击穿,注入电流抬升衬底电位来触发nmos沟道下方的npn
但是反向pn结击穿电压不会大幅度减小,所以低压器件就没法用了
比如5V器件,衬底浓度小,pn结击穿在11,12V左右,2.5/3.3V 衬底浓度稍高一些,pn结击穿降到7V左右
但是1V器件,衬底浓度更高一些,但是pn结击穿也在4~5V左右,这个是有物理特性限制的,这个trigger电压对于1V器件来说太高了
很容易还没有snapback就把gate打坏了
发表于 2019-1-10 08:58:00 | 显示全部楼层
marking
发表于 2019-1-31 16:02:34 | 显示全部楼层
那低压工艺,一般用什么结构来做ESD device呢?
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