Bias电流最小能做到多少

tsai2 · 发表于 2015-10-21 14:41:30

回复 1# zhangtaoqiqi

i think nano ampere ok

zhangtaoqiqi · 发表于 2015-10-22 10:12:40

回复 11# tsai2

请问最近多少nA呢？什么工艺？design的时候有什么需要注意的吗？谢谢！

magicdog · 发表于 2015-10-22 13:03:04

人有多大胆，地有多大产

bright_pan · 发表于 2015-10-22 16:48:02

看XC的LDO，轻载下自身功耗1uA, 内部包括BGR,LDO的完整电路，并且性能很好，所以50nA左右的bias电流完全不是问题。

暮若幽荷 · 发表于 2015-10-23 09:01:57

和工艺有关啊，理论上还不是多低都可以，但是低了的话，一点干扰可能就把电流干扰没了，我听说过5nA的

semico_ljj · 发表于 2015-10-23 09:07:50

回复 14# bright_pan

那个不是50nA，80-100nA左右！结构谱也很简单

xiaoquanic · 发表于 2015-10-23 09:33:21

我们采用亚阈值原理，利用高低阈值两种管做的电压基准，输出210mV左右，室温下总电流约为3nA，但是输出工艺偏差就到大了正负11mV，如果修调（面积就大了），可能到正负5mV，采用.18工艺，但是没有机会流片所以真正性能不知，关于osc，我们参考台大一篇OSC论文，工作时总电流大概在几百nA，台大这个它是流片的，我把论文贴在下面，感兴趣可以看下！

[6]A 2.6 nW, 0.45 V Temperature-Compensated Subthreshold CMOS Voltage Reference.pdf (1.62 MB, 下载次数: 129 )

nanopower CMOS relaxation oscillations with sub-100ppm TC.pdf (819.83 KB, 下载次数: 122 )

semico_ljj · 发表于 2015-10-23 10:10:34

回复 17# xiaoquanic

赞，感谢

harvey_qq · 发表于 2015-10-23 10:20:51

basd on SNR/DR

semico_ljj · 发表于 2015-10-23 10:22:35

回复 17# xiaoquanic

论文有点意思！作为学术参考，实际还是不敢用

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