ESD保护和防天线效应用的Diode是一样么？原理有什么区别？

colindeng

受教！

蓝风紫心

回复 15# tiancai2008

但是如果是gate接到metal1，然后通过metal2走长距离之后，再与S/D相连，显然这样的设计风险会小些
这种设计的天线效应不能够降低，因为在做metal2的时候，已经有via跟metal1连接了，这样metal2积累的电荷还是会通过metal1，传到gate上，damage gate
天线效应是在生产过程中的产生的现象，“通过metal2走长距离之后，再与S/D相连”这是不会产生天线效应的，为什么？因为metal2与S/D相连，S/D是扩散区，metal与扩散区相连是不会产生天线效应的，因为相当于metal与反向二极管相连，在gate击穿之前，早就泄放掉了。更何况，工艺中，每层metal做完，都是要有放电步骤的，所以是不会有天线效应的。一般情况下，反向二极管的击穿电压是6-8v，而栅的击穿电压是10v以上。

fuyibin

回复 23# 蓝风紫心

现在薄氧的击穿电压也就是2~3V
diode反向是有漏电的，但是不会到击穿电压的

立华奏

受教了。

sunhongwei

挖挖挖

心xx

mark

_橘颂

tiancai2008 发表于 2010-9-1 12:43
请问，要避免antenna effect， layout routing应该怎么处理就不需要加antenna diode

接到随意的扩散区也是一样的效果，最好metal1直连，随意的扩散区与衬底之间也有反偏的PN结