阈值电压与体效应问题

hichip_fire

回复 8# CMOS永日

对，我又仔细看了看书本，似乎的确是这么解释的，那么我想听听你的意见----既然耗尽区的电子不容易扣出来，那么反型层的电子是从哪来的呢？分两种情况哦，一：衬底接地，二：衬底接负电压。

hichip_fire

回复 6# JohnHilo

恩，我想你的意思大概是指：衬底接负压后会导致跟源漏两极之间的PN结反偏，更难导通，是吧？似乎也说得通。我们这样想，方便我们记住这个结论，相信对我们搞工程设计也不会产生过大的障碍，不过我还是希望能够看到一个非常通彻的直观理解，能够把这些模模糊糊的东西给分析清楚。

hichip_fire

回复 9# fuyibin


   不好意思，我没能明白你的意思。能再说的清楚点么？

hichip_fire

回复 10# xiaoquanic


   恩，书上似乎就是这么解释的，但是我觉得还是不够通透。

hanfeifei

回复 1# hichip_fire


   记住一点就可以了，体源电压的极性和栅源电压的极性是相同的，至于体效应，是由于体电位和源电位不同造成的

hahayesgo

回复 1# hichip_fire


   p型衬底多数载流子是空穴，衬底家负片压首先是空穴被吸收过来，空穴被吸收到衬底后，也会形成电场，衬底电压还会将衬底的电子往上推么？所以主要是空间电荷去展宽引起的电子更难从衬底上被吸收到耗尽区，导致阈值电压升高

CMOS永日

回复 11# hichip_fire


   耗尽区的电子不容易抠出来，那么电子肯定来源于衬底，衬底是P型的，虽然电子是少子，但是毕竟还是有一些的。你说的衬底接地和接负电压，无非就是前者没有体效应，后者有体效应，衬底接负电压，导致耗尽区加宽，阈值电压增大。

hichip_fire

回复 16# hahayesgo

那些科学家建模确实赋予了空穴以质量，速度，等等，但是回归到物理层面上来讲，真正运动的还是电子啊，原子核带正点 电子带负电，本质上都是电子在走吧，核能走么？ 好！就算空穴被衬底负压给吸过来了，难道吸过来了就堆积在那不走了？我承认拉扎维书上的确解释原因是耗尽层加宽导致阈值电压升高，但是现在问题是怎么去理解它，而不是直接拿来用！

hichip_fire

回复 15# hanfeifei

妹子，咱这是在探讨怎么去理解它呢！

hichip_fire

回复 17# CMOS永日

我相信你看书看的很仔细！ 那个解释方便我们记住这个现象，但是我相信你应该也跟我有同样的困惑。既然你没有正面回答我的问题，那么就我来答吧，
一：衬底接地时，因为沟道那边在耗尽层的基础上又形成了一层很薄的反型层，所以这边带有很多负电荷，那么衬底的另一边势必会带有大量的正电荷，这部分正电荷发现沟道那边的负电荷没法拉过来，肯定会从接地那里拉电子过来的，然后····然后我就不知道了。
二：衬底接负压，同上···，这部分正电荷同样发现沟道那边的负电荷没法拉过来，肯定也会想着从负压那边去拉电子过来，不过这相比于 衬底接地 的情况要更容易拉电子些， 然后····然后我也不知道了！


我现在在外边工作，就这个问题跟身边很多人交流过，答案都不是很令人满意，我相信这种问题，在学校里面搞学术研究的人应该会更懂一些，所以如果你有那方面的朋友，可以跟他们讨论下，然后也分享下！