一个关于基准的问题

hszgl · 发表于 2015-8-27 08:24:50

回复 9# semico_ljj

DRAM工艺和常规IC的工艺基本不是一条线吧。话说TSMC的16nm不是可以用了么已经？

CMOS永日 · 发表于 2015-8-27 10:58:10

回复 1# fightshan

bandgap通过合理的设置，可以得到除了1.2V的其余你想要的电压

semico_ljj · 发表于 2015-8-27 13:42:39

回复 11# hszgl

是的。、大陆的厂家估计也只有华为的麒麟尝试了16nm，其他的还是在28nm

fightshan · 发表于 2015-8-27 17:54:00

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bandgap通过合理的设置，可以得到除了1.2V的其余你想要的电压
CMOS永日发表于 2015-8-27 10:58

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为什么1.2V得不到？另外，我希望的是在300K时的TC为零，而这个时候恰好输出也在1.25V这样，对于PTAT和VBE叠加的这个方法改变镜像电流的关系应该可以做到吧？

CMOS永日 · 发表于 2015-8-27 21:02:14

回复 14# fightshan

不好意思我没表述清楚，我的意思是可以得到任何你想要的电压，不仅仅是1.2V

fightshan · 发表于 2015-8-27 21:32:38

回复 semico_ljj

DRAM工艺和常规IC的工艺基本不是一条线吧。话说TSMC的16nm不是可以用了么已经？ ...
hszgl 发表于 2015-8-27 08:24

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何止啊现在TSMC 14nm已经搞定了苹果下代14nm工艺的A9订单将会被三星和TSMC平分······

hszgl · 发表于 2015-8-28 10:15:17

回复 16# fightshan

14和16之间没有代差。下一代是9和7。

fightshan · 发表于 2015-8-28 21:48:20

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对，比如65nm 1.23V,40nm 1.225V， 28nm 1.219V，16nm 1.182V
lwjee 发表于 2015-8-25 21:51

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再问前辈一个问题 PTAT电流支路下面的那个BJT个数怎么选？就1个吗？还是可以并联很多个？依据是什么？

lwjee · 发表于 2015-8-29 22:17:28

回复 18# fightshan

你说的是什么结？

fightshan · 发表于 2015-8-30 13:05:16

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你说的是什么结？
lwjee 发表于 2015-8-29 22:17

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我说的就这这样的结构 Q3的并联个数选多少个怎么考虑？另外各个晶体管如何设计他们的电流？我第一次接触基准方面的设计可能问题有点幼稚见谅哈

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