在同一工艺下，PMOS的最小尺寸为什么比NMOS的大点？

令狐少侠0024 · 发表于 2015-7-8 14:33:04

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LZ用了几种工艺，感觉一直都有这个特点。懂的大神望不吝告知

sjtusonic · 发表于 2015-7-8 16:28:52

回复 1# 令狐少侠0024

p载流子是空穴，迁移率比n电子小。为了做平衡的cell，p的宽度要比n管大，已达到同样的驱动能力。

sjtusonic · 发表于 2015-7-8 16:30:30

我是从数字电路角度说的，从模拟电路角度呢？

令狐少侠0024 · 发表于 2015-7-8 17:24:19

回复 3# sjtusonic

感觉不是这个原因，我用的0.8um工艺，NMOS最小尺寸是0.8，而PMOS是0.9，两者差的也不是很多。为了相同的beta，PMOS尺寸一般是NMOS的2~3倍。是不是工艺的原因呢？

令狐少侠0024 · 发表于 2015-7-10 10:41:11

求大神解答！

hszgl · 发表于 2015-7-10 13:40:34

应该是工艺水平的问题，在p注入和n注入时要用不同的mask套刻，后一层略大于前一层便于对准。
以CSMC mix 0.5um的工艺为例，n的最小线宽的0.5，p的是0.55；但在同一条线上跑的，1um HV的工艺，n管和p管的最小线宽都是1.

fightshan · 发表于 2015-7-10 19:25:52

6楼说的看起来很有道理····

渡渡 · 发表于 2015-7-11 14:56:32

好想知道确切原因

[求助] 在同一工艺下，PMOS的最小尺寸为什么比NMOS的大点？