运放的offset为什么和输入对管的过驱动电压有关

malegebde4 · 发表于 2014-9-29 22:59:35

学习了，感谢

i0977454522 · 发表于 2014-12-5 11:21:04

Bandgap Reference的论文非常多,这里推荐17篇我个人觉得比较有代表性的论文。主要包括:曲率补偿、高PSRR、低功耗设计。17篇论文的..

liuyingpz · 发表于 2014-12-5 11:35:35

关于失调，sasen的模拟集成电路设计精粹第15章将的比较清楚

lsh0211 · 发表于 2014-12-5 13:20:31

本帖最后由 lsh0211 于 2014-12-5 13:25 编辑

好多似是而非的回答！
其实raziv的书讲的很明白。
系统失调和gain有关，通常很小（因为gain可以做的比较高），而且方向（+-号)是固定的，只向一个方向偏。
讨厌的就是随机失调，和layout match以及制造适配有关，很难消除，而且有大有小，有正有负。

首先，随机失调和MOS管的面积有关，Vos=+/-[a/sqrt(W*L)]，对应良好匹配的layout，a由制造工艺决定，所以MOS的面积越大，失调越小。
那是不是同样面积的MOS，其Vos就一定呢？当然不是，和MOS的工作状态也有很大关系。回到LZ的问题，对于5管OPamp，假设只考虑Vt的工艺失调（忽略其他失调影响），那么可以得到输入对管的Vt失调Vos_vt1折合到输入端，很明显就是Vos_vt1。再考虑镜像电流源的Vt失调Vos_vt2， Vos_vt2的失调在输出端产生的输出失调是Vos_vt2*gm2*Rout(gm2是镜像电流源的跨导），那么折合到输入端的失调就Vos_vt2*gm2*Rout/(gm1*Rout)=Vos_vt2*gm2/gm1。这样，只考虑vt失调的影响得到输入失调电压就是sqrt[Vos_vt1^2+(Vos_vt2*gm2/gm1)^2]。 sqrt表示开方， X^2表示X的平方。
这样就很明显了，输入管的vdsat越小，就要求W/L越大，gm1就越大，分母越大；镜像电流源刚好相反。