高压ESD保护问题

lianaissmec · 发表于 2014-12-3 14:35:41

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如上图所示，是一个最高电压为22.5伏的芯片的ESD保护电路（管子是高压管），麻烦各位分析一下各个引脚在人体模型测试过程中的ESD放电路径，尤其是VM端口，ESD直接加在栅上，不会对栅造成破坏吗？

lianaissmec · 发表于 2014-12-3 14:36:56

最后的电源和地之间的ESD保护管也是NMOS，忘记画了

lianaissmec · 发表于 2014-12-3 14:38:09

回复 1# lianaissmec

最后的电源和地之间的ESD保护管也是NMOS，忘记标N了

tq0010c · 发表于 2014-12-3 14:54:42

感觉好像所有管子都在当作二极管使用

lianaissmec · 发表于 2014-12-3 15:09:35

是不是高压的栅不容易被ESD击穿，所以可以这样使用呢？

tq0010c · 发表于 2014-12-3 15:15:54

回复 5# lianaissmec

如果VDD接地，VM在正的ESD脉冲下有通过寄生二极管到VDD的通路，但VM到GND似乎没有通路

korli319 · 发表于 2014-12-10 21:49:57

回复 5# lianaissmec

不会被击穿，因为这里面的nmos管就是把它们都当作二极管来使用的，只是串了很多个，跟左边的的串联的二极管性质是一样的！
如果VM对GND打的话，那么它就必须先经过两个用NMOS来穿的二极管先到VDD，在从VDD经过二极管到GND!
单纯的二极管只有PN结特性，对于ESD来说只有导通或击穿，而用MOS管做的二极管不仅具有单纯二极管的特性，还有更好SNAP BAK特性，导通效果更好！

GodofSun · 发表于 2014-12-10 22:05:22

VM到GND的通路7楼已经说了，如果你的VM端只有这些电路的话。。。

linwu1999 · 发表于 2019-1-3 16:36:12

marking

rainydate · 发表于 2020-6-26 17:46:31

电路画的本身就不对

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