为什么Vsb>0引发背栅效应，而不考虑Vdb引发的体效应呢

xinleiye · 发表于 2014-11-20 13:39:04

本帖最后由 xinleiye 于 2014-11-20 13:42 编辑

回复 10# feynmancgz
既然整个沟道体效应对Vth都有影响，我们估算沟道电流以及计算Vdsat时，为什么不考虑这些影响呢?

feynmancgz · 发表于 2014-11-20 17:38:51

本帖最后由 feynmancgz 于 2014-11-20 17:58 编辑

回复 11# xinleiye

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就如你说的，drain只对“drain的Vth"有影响，对souce有什么影响？
Vth本身的定义确实是从gate到沟道，但是只要souce端附近通了，这个管子就通了，drain有什么影响？
drain端pinch off了，就pinch off了，电流由于经过从source到drain的加速，足以通过pinch off的drain端
你说的不错，体效应确实会对电流估算及Vdsat产生影响，但是这个影响的具体描述会使方程变得极其麻烦，你所看到的方程是最简单的描述，这里是基于一种假设，source端的Vth是最低的，即这一点导电能力最强，即最大的电流就是由他确定的，沟道内部即使pinch off，电子经过加速也能通过。但是you are right，drain会不会对电流产生影响？会！如何描述。。。。？very complex！especially modern technology！