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楼主: lucia_wan

[讨论] 2倍电荷泵设计中flying电容取大取小对性能有什么影响?

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发表于 2012-10-30 21:59:24 | 显示全部楼层
非常感谢!!!
发表于 2012-10-31 15:25:55 | 显示全部楼层
好书,谢谢楼主分享!
发表于 2012-11-1 00:56:14 | 显示全部楼层
来学习来了,看了拉扎维的书还远远不够啊
发表于 2014-9-3 23:55:03 | 显示全部楼层
楼上的推荐真的很好啊
发表于 2014-10-16 13:01:37 | 显示全部楼层
谢谢大家的讨论,以及资料分享!!
发表于 2014-10-16 22:44:33 | 显示全部楼层
做过一些分析,简单的说:

1. SC Converter本身是lossy的。
2. 这个lossy用最新流行的理论,可以model成output resistor
3. 这个resistor,分2种情况。
   1)FSL(fast switching limit),就是switching freq很快,或者flying cap很大,一个周期,电容电压都无法充满,那么output resisotr和Duty Cycle成反比,和开关Ron成正比。
    2)SSL(slow switching limit),如果switching freq很慢,或者flying cap很小,一个周期内,电容电压被充满,那么output resistor和frequency和flying cap值成反比。
4. 从efficiency和loading capability的角度,flying cap越大,以上性能就越好。
5. 从ripple的角度,flyiing capacitor和loading cap越大,ripple越小。

ref:
[1]M. D. Seeman and S. R. Sanders, “Analysis and Optimization of Switched-Capacitor DC-DC Converters,” TPE, vol. 23, no. 2, pp. 841–851, 2008.
发表于 2014-10-17 14:50:24 | 显示全部楼层
学习了,谢谢
发表于 2014-11-20 16:17:06 | 显示全部楼层
回复 11# Areky

那要实现10mA的负载能力,岂不是需要很大的电容,或者很快的频率?
假如V=2v,f=1MHz,要实现10MA的带载能力,电容需要5nF,想要
把电容集成在内部需要很大的面积。那么那些OTP或者flash ROM是如何
实现自烧录的呢?
发表于 2014-11-25 09:24:01 | 显示全部楼层
delta V= I/f*C,电容选择和负载电流,开关频率,纹波大小都有关系。
发表于 2015-6-9 18:15:58 | 显示全部楼层




SOME   Flash ROM 用電erase 分5v , 12v erase ..



你说flash 类 ,   一些烧flash 是外面烧录使用
12v


还有些eeprom 类本身是5v 方式

至于
charge pump升压去烧录  那是否跟多少 cell有关


chiperase 会很耗电
但是如何
block ?



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