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[原创] SRAM写操作问题

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发表于 2014-9-23 18:30:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,SRAM在写的时候需要预充电吗,很多论文好像都没有提到要预充电,请大家帮忙解答一下,谢谢!
发表于 2014-9-24 14:32:57 | 显示全部楼层
回复 1# 夏天里的绿荫


   讨论一下,在时序要求不高的情况下,读操作需要预充电吗
发表于 2014-10-23 16:08:23 | 显示全部楼层
no need to precharge, dram need it !
发表于 2014-10-23 17:00:28 | 显示全部楼层
读写操作时不需要precharge,操作完成后precharge
 楼主| 发表于 2014-12-6 09:39:25 | 显示全部楼层
回复 4# crush1986

你好,读操作后和写操作后都要prechare吗?
 楼主| 发表于 2014-12-6 09:40:38 | 显示全部楼层
回复 2# kwankwaner


   个人觉得即使时序不高,也有必要读 操作前预充电
发表于 2014-12-6 22:26:43 | 显示全部楼层
回复 6# 夏天里的绿荫


    如果不充电而只是拉两边电压复位呢
发表于 2020-5-12 10:16:31 | 显示全部楼层
请问楼主问题解决了吗,我想请教一下sram的读写该如何仿真
发表于 2020-6-8 22:52:09 | 显示全部楼层
6T SRAM在standy mode的时候,即是pre-charged to VDD,因此对于read/write而言,初始的bit-line都是vdd.
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