仿真运放的输入失调电压？？

何平 · 发表于 2014-10-20 13:49:23

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请问仿真一个运放的输入失调电压是不是要做MC分析啊用在带隙基准中的运放，对于带隙基准的性能要求：-40~130温度扫描，输出电压偏离小于3mv，电压精度小于1mv，这样的性能要求输入失调电压为多少？几mv吗，还是小于1mv？

lwjee · 发表于 2014-10-20 15:05:54

小于120uV，不同电路不太一样

victor0o0 · 发表于 2014-10-20 16:21:10

运放Vos到BG的输出有增益的，一般在10左右

何平 · 发表于 2014-10-20 21:19:33

回复 2# lwjee

你的意思是MC之后的性能吗？要做MC吗？

lwjee · 发表于 2014-10-21 09:15:33

是的，我感觉1mv的精度达不到，或者很难

何平 · 发表于 2014-10-21 12:37:36

回复 5# lwjee

我仿真一下我做的运放试试，输入差分对PMOS，PMOS衬底与源级短接，可以较小输入失调电压的改变，PMOS过驱动电压尽量小一点，宽长面积尽量大一点，可以减小输入失调，负载管用NMOS电流镜，NMOS的gm值应小于输入差分对的gm从而进一步减小输入失调，中间再加一个共源共栅管可以提高电源电压抑制比。你上面不是说小于120uV吗？那对于带隙基准来说，需要多大的精度就足够了，毕竟影响带隙基准性能的一般就只是温度系数与运放失调了

lwjee · 发表于 2014-10-21 12:50:03

回复 6# 何平

这个要看具体要求，1.2VBG，失调30mv-40mv一般是有的，因为还有BJT Corner和R Corner的影响。好的失调可以做到10mv左右。

semico_ljj · 发表于 2014-10-21 13:24:38

回复 7# lwjee

失调有几十mV？？？！！！没有这么大吧

lwjee · 发表于 2014-10-21 15:21:16

回复 8# semico_ljj

有的，特殊技术做的也几mv呢，

何平 · 发表于 2014-10-21 23:00:57

回复 9# lwjee

啊，不会吧，我刚刚随便拿了一个两级运放，接成单位增益负反馈的形式，输入从0~1.2V扫描然后观察输出与输入电压的差值，然后做了MC，process与mismatch分别取了300个点，发现在共模输入范围内这个电压之差最多也就0.5mV左右啊，这个值应该就代表输入失调电压吧，没有你说的几mV甚至几十mV呢，什么情况呢？？???难道我仿真输入失调方法有问题？？

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