density不足或过多对芯片的影响？

荣耀3C · 发表于 2014-9-28 11:18:54

到底哪个是对的？？？！！！大牛出来解释下，不要误导小弟啊！！！

ppscao · 发表于 2014-9-28 13:24:59

CMP对于Isolated区域铜线研磨快, dense区域较慢, 所以需要控制metal density.

fuyibin · 发表于 2014-9-28 13:36:19

本帖最后由 fuyibin 于 2014-9-28 13:39 编辑

请大富豪解释下，好让大家理解、学习，因为我也只是查到的资料，谢谢！
even810223 发表于 2014-9-28 11:05

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我也不是做工艺的，不过就我知道的metal density的影响。
（1）Al 铝互连工艺
对于以前的Al 铝互连工艺，是刻蚀metal，那是先淀积铝，然后再光照，刻蚀掉不需要的铝，剩下的就是铝连线。那么在metal density高的地方刻蚀窗口小，容易有残留，在density低的地方，刻蚀窗口大，去掉的metal多，容易把需要留下的那一小点铝也一起刻蚀掉。
（2）Cu互连工艺
大概在180nm到130nm的时候，大家开始使用铜互连工艺，这时候工艺也发生了变化，采用大马士革工艺，也就是铜镶嵌工艺。不再是刻蚀金属，而是先做绝缘层，然后在上面刻蚀个槽，再把Cu填入，然后CMP把多余的铜磨平，只剩下槽里面的铜，就是所需的连线。那么density 低的地方需要磨掉金属多，而且槽的窗口小，density 高的地方需要磨掉金属少，而且槽的窗口也大。那么在CMP时候，等磨到density 低的区域多余metal都去干净的时候，density 高的区域就有点过头了，自然就会薄一些。