csmc0.5 深N阱工艺怎么画？

electron2008 · 发表于 2014-8-13 17:33:08

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在原理图中有两个NMOS管的衬底接的不是源级，而是接漏极，但源级和漏极接的都不是地，这两个管只是一个中间的管，所以不懂在画版图时，它们的衬底怎么接？问过其他同学，他们说要弄成深N阱工艺，具体怎么接它们也不知道，求大侠帮帮忙。

electron2008 · 发表于 2014-8-13 17:36:32

还有是不是每种工艺都有深N阱工艺？

wendyyang100 · 发表于 2014-8-14 09:48:58

源漏级是根据电位判断，而不是根据位置的。nmos是不会有衬底接在漏极上的，低电位的就是源级。
如果设计并没有特别需求，是可以把nmos衬底改成直接接地的，但这个需要再仿真一下性能。
深阱工艺大概是可以在nmos下面预先做一个埋层，可以隔离一部分衬底噪声之类的，不少前辈都把它当独立的阱用，但是这个和双阱工艺还是不太一样的，个人觉得这么做有风险。
我是新手，希望有帮助。

electron2008 · 发表于 2014-8-14 10:58:07

回复 3# wendyyang100

谢谢了，我也是新手。那我只能再改改原理图，看看能不能接地。如果真不行，就要换个结构了。

wendyyang100 · 发表于 2014-8-14 16:22:01

回复 4# electron2008

我又查了查资料，再补充一下
有的深n阱工艺是有独立的p-well，nmos做在p-well里面，然后p-well又在deep n-well里面。这样就是完全隔离开的了。

这两种都是防止衬底干扰的，但截面图上不太一样，所以看看工艺手册比较好。

另外，一般是rf的工艺里才有，std cmos工艺是肯定没有的

期待有大牛来详细讲解一下啊！