csmc0.5 深N阱工艺怎么画？

wendyyang100

回复 10# hszgl


   那什么情况下，用dnw比较好呢？

hszgl

回复 11# wendyyang100


    不得不用的时候。多一层layout就多一张mask，多一道工序，多一层成本和风险。

wendyyang100

回复 12# hszgl


   有道理，谢谢~

electron2008

回复 10# hszgl

能具体讲一下吗，他的DRC和LVS都过了，我们都是新手，也不太懂，所以也就认为是可以的了。

hszgl

回复 14# electron2008


    如果你的电路可以用一种器件达到性能，就不要用两种，可以用简单结构，就不要用复杂结构。节省成本只是小事，可靠性才是大事，设计过程中必须考虑。当然你们刚开始学，考虑不周全很正常。读书期间要求不会那么高，老板有的让你流片已经算牛逼。

electron2008

回复 15# hszgl

这个确实是项目的一部分，后面也是要流片的，但我们老师也不是很懂，他只对数字部分比较拿手，所以模拟部分都是我们自己在弄，边学习边摸索。总之，谢谢你的帮助。

sample

受教了

caomin

学习了

安庆一枝花

回复 15# hszgl


   如果电路中（三输入与非门），最上边的N管衬底是不接地的，需要一个深N井，可是在别的工艺里没有深N井，该怎么办呢？如果改电路，将它的衬底接地，那么在版图中又该怎么画出它的衬底接地？它的源漏都接了上边P管和下边的N管，怎样画才能体现它的衬底接地了？（PS：我是一名刚入门的学生，不太懂这些）

hszgl

回复 19# 安庆一枝花


    你可以先把版图文献中关于“衬底接地”的内容找出来看看。NMOS源漏虽然在P衬底上但是是N+掺杂，而衬底接触是P+掺杂。