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[求助] 为什么常见的I/O ESD器件后要加个电阻啊?

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发表于 2014-7-30 19:40:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如图,一般加个几百欧姆的电阻。既然5V的管子在ESD的短时间可以承受20V以上的电压,那为什么要加这个电阻啊?
是下面这个原因?
     ESD器件有个开通时间,在这段时间内PAD有可能有个几十伏(大于栅氧的短时间击穿电压)的尖峰,加电阻就是要增加延时滤去这个尖峰,从而不至于打坏栅氧。
     请高手指点,谢谢!

esd.png
发表于 2014-7-30 20:11:09 | 显示全部楼层
markmark
发表于 2014-7-30 23:35:16 | 显示全部楼层
CDM问题,使ESD charge尽量从GGMOS导掉
发表于 2014-7-31 12:12:24 | 显示全部楼层
横着一条沟通家里,竖着一条沟通大马路上,下大雨了怎么办呢?拿块石头堵住家门口的,防止家里发大水
发表于 2014-7-31 12:21:19 | 显示全部楼层
顶楼上。。
发表于 2014-7-31 16:13:08 | 显示全部楼层
防止大电压脉冲击穿M2和M3
发表于 2014-7-31 16:37:48 | 显示全部楼层
单加电阻还不够的,需再加小尺寸的MOS
发表于 2014-7-31 16:45:16 | 显示全部楼层
second esd, 但是里面要在加diode或ggnmos做保护,要不没有用的
发表于 2014-7-31 18:18:21 | 显示全部楼层
回复 8# fuyibin


    我试过加电阻和不加电阻,加电阻的ESD要好500V
 楼主| 发表于 2014-7-31 21:38:22 | 显示全部楼层



如果是ESD器件已导通的话,按ESD的器件的电压电流曲线来看是不会击穿瞬间耐压到达20V的栅氧的,除非一开始瞬间电压远超这个值。

如果不考虑栅氧电容的话,栅氧的DC输入电阻是远大于几百欧姆的,能想到的可能原因是一开始栅氧击穿的话,如果限制其击穿电流到一个小的值是可一定程度上保护栅极的
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