关于GCLPNP的不解？（栅控制横向三极管）

羊尾巴 · 发表于 2014-7-7 23:16:00

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在网看到这样的结构，觉得新奇，想弄明白：当PMOS管的栅电压高于三极管的发射极时，能使得该三极管的beta比普通三极管的beta大吗？我是这么想的：当PMOS管的栅压高是，在其沟道内，也就是三极管的基区会聚集大量电子，这样就会复合大量从发射极漂移过来的空穴，进而会减小三极管的beta……我想自己的想法是错误的，否则就没有必要那个栅了，这样做一定有什么优点，只是自己还没能找到推翻自己的理由……希望前辈们指点一二，感激不尽！

zhxwjl · 发表于 2014-7-8 14:42:05

GATE是用来屏蔽有C和E形成的PMOS，使其不开启。

羊尾巴 · 发表于 2014-7-8 19:40:25

回复 2# zhxwjl

谢谢你的回复！难道只有这一点作用吗？对三极管的beta值没有什么影响吗？

羊尾巴 · 发表于 2014-7-8 23:10:40

没有人遇到这样的器件吗？求牛人指点……

andy2000a · 发表于 2014-7-9 07:47:27

本帖最后由 andy2000a 于 2014-7-9 07:52 编辑

回复 4# 羊尾巴

google find some ..
关于BiCOMS中的LPNP及GCLPNP

假设Vg太小，即加在PMOS的gate的加压，会导致PMOS导通，进而使Ve接近于Vc(饱和 )
参照PNP的工作原理 (类似共集电极)，可参照下面剖面图进行分析。(Ve>Vb>>Vc，EB正偏，BC反偏)（forward）
分析后可以得出, 类似PMOS结构必须截止!!
- 但不等于将E(发射极)切断，反而是电子积聚在B(基极)，从而加大从E到B的电场作用，并使基极浓度加大，

电子经过基极时间减少，迅速到达发射极。

如此分析得出结论，此种结构增强了PNP的工作性能，并能在受影响的环境中工作正常，这也是现在大家愿意采用这种结构的原由所在。

有人有這類 IEEE paper ?
GOOGLE 找到有些好像不太同

Controlled Lateral PNP Bipolar Transistor2007.pdf (2.01 MB, 下载次数: 25 )

Double Gate-Controlled Dual Base SOI Bipolar Junction.pdf (276.96 KB, 下载次数: 18 )

2008 A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90 nm CMOS.pdf (450.15 KB, 下载次数: 20 )

羊尾巴 · 发表于 2014-7-9 22:11:44

回复 5# andy2000a

非常感谢你的回复，你贴出来的内容正是我在网上看到的，也正是因为看了这个内容，才让我生出不解。原文中这样说“但不等于将E(发射极)切断，反而是电子积聚在B(基极)，从而加大从E到B的电场作用，并使基极浓度加大，电子经过基极时间减少，迅速到达发射极。

如此分析得出结论，此种结构增强了PNP的工作性能，并能在受影响的环境中工作正常，这也是现在大家愿意采用这种结构的原由所在。

”
我的不解是：当电子在基极积聚时，明显会使PN结处的耗尽层变得更窄，那么变窄的耗尽层会增强E到B的电场吗？即能够增强，那么增强的电场只会阻碍多子的扩散。其次，当基极多子浓度加大时，其只会复合更多的从发射极扩散来的空穴，这样又如何增强了PNP的工作性能？望指点……
再次感谢你的回复与所附的文档，我会好好研究的！

andy2000a · 发表于 2014-7-9 22:51:27

有沒有可能是 .

mos 給電壓下因為 Sio2 oxide 下電場受改變, 如同一般 enhance MOS 方式 .
bipolar 端 E 端的電洞被吸引 ,所以加速到 Collector

我力可 · 发表于 2015-11-5 21:44:47

文件有问题

bright_pan · 发表于 2015-11-6 09:27:49

What is the difference between this device and IGBT?

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