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[求助] MOS工作在弱反型区的优缺点是什么?

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发表于 2014-6-26 14:00:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有些情况会故意工作在弱反型区,为什么?
发表于 2014-6-26 14:49:20 | 显示全部楼层
有些电路对功耗比较苛刻,因此让MOS管工作在弱反型区得到较低的电流,同时也可以得到较高的跨导。缺点就是弱反型区的速度比较慢,使得电路工作频率不可能很高。折中的关系! 现在一些基准电压电路也通过MOS管工作在弱反型区得到正温度特性的热电压VT。
发表于 2014-6-26 14:51:58 | 显示全部楼层
拉扎维教材有讲亚阈值工作的器件,Allen教材有讲微功耗运放的,你可以看看
发表于 2014-6-26 14:52:24 | 显示全部楼层
low power design by making the MOS more like a "BJT". The potential panelties includes feature freq, reliability, and maybe time-to-market due to special cares on sub biasing issues.
 楼主| 发表于 2014-6-26 15:28:22 | 显示全部楼层
回复 4# onepieceligen


    对NMOS来说,就是一个NPN管是不? 但是衬底是接最低电位的,这样的NPN管是截止的,或者说发射结零偏,怎么当NPN管来用呢?
发表于 2014-6-26 23:43:32 | 显示全部楼层
回复 5# fumes


   跳出简单的 教科书第二章式的模型,回忆你本科学过的半导体物理。当栅压降低到一定程度之后,沟道和耗尽层就不能用强反型时的模型来近似了,说的直白一点,当强反型的时候,沟道流过的电流全部是漂移电流,但是在亚阈值区,电流会慢慢以扩散电流为主,从这个角度来说表现出了BJT似的exp-law 而不是MOS在强反型的square-law。这也是为啥说亚阈值区省电,因为他的电流效率高,e^x 永远比 x^n 高阶,更不要说n=1~3的MOSFET了。这个n不是亚阈值参数那个n,别搞混了。建议LZ多去看看物理的书吧,我觉得微电子人挣不到钱就是因为抛弃自己的根本--物理,虽然短期看来可能没有用。。。但是往前几十年的ICer,很多都是物理出身
发表于 2014-6-26 23:48:47 | 显示全部楼层
回复 6# onepieceligen

做模拟设计 器件物理确实需要
发表于 2014-6-26 23:55:05 | 显示全部楼层
http://blog.sciencenet.cn/blog-550717-464721.html 孟教授的博客 好东西 分享给LZ
发表于 2014-7-12 08:54:51 | 显示全部楼层
狐狸读书真是有趣就像玩毛毛虫。
发表于 2014-7-12 10:17:23 | 显示全部楼层
gm/Id 最大 efficiency好
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