ESD 求大牛解惑

math123 · 发表于 2014-6-7 06:40:01

本帖最后由 math123 于 2014-6-7 06:45 编辑

HBM的测试模式是150pf，2kV通过1.5k的电阻向PAD放电，在不加12V ESD的情况下，2kV/(7k+1.5k)=200mA的电流，也就是200mA的电流要流过这个电阻啊

TianBian365 · 发表于 2014-6-9 19:04:11

回复 10# 朱立平

谢谢朱先生的指导。。。对我以后的工作很有裨益的。。
另外我还有一问？该12V的ESD仅仅有电路分压再进入内部5V core，如果ESD坏了。。。最先是坏在哪里？电阻被烧？还是内部5V 期间被打坏？

朱立平 · 发表于 2014-6-9 20:11:09

本帖最后由朱立平于 2014-6-9 20:20 编辑

回复 12# TianBian365

您太客氣了

ESD電流路徑很難預測不同ESD測項有不一樣的路徑跟電路還有layout 元件結構有很大關係你的電阻建議是用NWELL電阻因為那對地就是一個NP Diode 可以傳導掉負ESD pulse (PN forward bias)與正ESD (reverse PN breakdown) 我也只上過課懂一些皮毛之後我會努力研究再跟大家分享

danglang · 发表于 2014-6-17 14:27:17

回复 8# tjuhxz

高压pad好像确实不需要更多的ESD保护了，因为高压管子自己都有很好的保护。
对不对啊？

herolove小白 · 发表于 2014-6-17 22:05:02

回复 TianBian365

您太客氣了 ESD電流路徑很難預測不同ESD測項有不一樣的路徑跟電路還有l ...
朱立平发表于 2014-6-9 20:11

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实乃老师之楷模，后生敬佩

shadow_cuk · 发表于 2014-6-18 10:54:51

回复 14# danglang

这么说也对也不对，高压LDMOS确实有esd的功效，但也面临不均匀导通的问题，因为power管面积很大不是所有的finger都能同时导通，导致只有部分支路能泄放电流，又由于snapback特性栅上的电压被拉到较低电位，致使其他支路永远也导通不了。有时候也需要给power管做单独的esd保护，scr的会常见点吧

math123 · 发表于 2014-6-19 10:59:50

回复 tjuhxz

高压pad好像确实不需要更多的ESD保护了，因为高压管子自己都有很好的保护。
对不对 ...
danglang 发表于 2014-6-17 14:27

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高压管子钳位电压高，例如5V钳位，流过1.3A的电流，换成高压10V钳位，也流过1.3A的电流，这个功耗大了一倍

zhujihan · 发表于 2014-10-1 21:43:18

回复朱立平

谢谢朱先生的指导。。。对我以后的工作很有裨益的。。
另外我还有一问？该12V的ESD ...
TianBian365 发表于 2014-6-9 19:04

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我认为如果12V那个pad只是接了电阻没有接其他电路，不需要加ESD保护。第一，电阻是不会被ESD损坏的，电阻不会有break down电压，ESD电荷会在PAD上集聚并缓慢通过res泄放。
第二，这么大的串联电阻，对后级电路的保护是足够的，发生ESD时大多数能量都被电阻吸收了，如果不放心，可以根据具体情况在后级加小尺寸的次级ESD保护电路。

个人理解。仅供参考。

hellobz · 发表于 2016-9-14 18:22:27

学习学习

janvery · 发表于 2016-11-16 13:58:19

markmark

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