问下MOS器件栅极为什么用多晶硅而不直接用金属呢

Apenper · 发表于 2014-4-25 11:04:01

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coco_1991小蚂蚁 · 发表于 2014-4-25 13:59:05

工艺上更容易实现、

vvb6 · 发表于 2014-4-25 15:02:58

自对准工艺，要求的温度金属达不到。

semico_ljj · 发表于 2014-4-25 15:46:52

45nm以下是金属栅

sea11038 · 发表于 2014-4-25 20:13:53

《微电子概论》关于硅栅MOS结构和自对准技术的描述

Apenper · 发表于 2014-4-27 20:23:15

谢谢大家我学到了

math123 · 发表于 2014-4-27 20:42:33

自对准工艺，要求的温度金属达不到。
vvb6 发表于 2014-4-25 15:02

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学习了，查了下资料：多晶硅可以安全的受住退火源/漏注入需要的高温，所以它可以作为自对准生成源极和漏极的掩膜

畅航者 · 发表于 2014-4-27 21:13:44

好东西啊

zhurenyuan · 发表于 2021-11-27 11:39:39

同步学习

BJTUWKF · 发表于 2021-11-27 12:46:02

明白了

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