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查看: 5884|回复: 18

[讨论] CMOS bandgap结构为何会有三极管在里面

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发表于 2014-3-17 13:40:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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经常可以看到论文题目为:*****CMOS bandgap*****
然而,论文中的电路结构又经常使用diode-connected bipolar,非常不解,既然用了bipolar了,为何要将题目
写成CMOS bandgap。

用CMOS工艺怎么可以实现?如果实现不了,那不就是只能用BICMOS工艺么?那为什么不叫BICMOS bandgap?

求大虾明示
发表于 2014-3-17 14:14:43 | 显示全部楼层
那是vertical 的bipolar,兼容cmos工艺
 楼主| 发表于 2014-3-17 18:40:00 | 显示全部楼层
回复 2# xjf20072608

你是说标准CMOS工艺里 可以实现vertical bipolar吧?
发表于 2014-3-17 18:47:26 | 显示全部楼层
bi-cmos工艺是指那种带埋沟beta npn通常达到100左右工艺吧,虽然标准CMOS也可以做PNP,但是beta值和性能都较低,所以不算作bipolar工艺
发表于 2014-3-17 19:02:05 | 显示全部楼层
回复 3# liqiangsjtu


    是
 楼主| 发表于 2014-3-17 20:10:25 | 显示全部楼层
回复 5# xjf20072608

我手里拿到的工艺的PDK 里面只有MOS管的Pcell 并没有PNP管的Pcell,仿真库中也没有任何关于PNP的模型参数,这种情况下是否意味着

我只能用Diode-connected MOS管来代替 Diode-connected bipolar了?
发表于 2014-3-17 20:41:39 | 显示全部楼层
回复 6# liqiangsjtu


     一般的库文件都是有bipolar的cell的,尺寸都是定的,不能随便改。
 楼主| 发表于 2014-3-17 21:24:03 | 显示全部楼层
回复 7# xjf20072608

你是说 工艺厂商提供的PDK里面一般会有bipolar的cell?
发表于 2014-3-20 14:56:17 | 显示全部楼层
不是可以利用衬底和n well的等效二极管么?
发表于 2014-3-21 20:20:35 | 显示全部楼层




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