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楼主: 思奇

[求助] lvs rule中如何定义区别两个地?

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发表于 2014-2-25 11:12:58 | 显示全部楼层
这要靠你自己查看 command file 了,或者 design rule 有没有相关描述。
如果是 Calibre 的话, holes 就可以做到了
 楼主| 发表于 2014-2-25 11:26:18 | 显示全部楼层
回复 10# le_levi


    整体加psub2 lvs是通过的
但是有别的方法吗?应该在calibre中能设置吧?
发表于 2014-2-25 13:28:00 | 显示全部楼层
回复 12# 思奇

暂时不知道你这究竟是怎么回事了,我还从来没有碰到过。我只是感觉从你版图上看做的有问题,inv的PNmos要反转,inv Pmos和ring中的Pmos摆在一起,inv Nmos和ring中的Nmos摆在一起。既然楼主自己肯定不是这个问题了,我也暂时没想到什么原因,多问问其他大神,看看是不是cmd file设置的问题,具体我也不清楚,同样求解!
 楼主| 发表于 2014-2-25 15:35:54 | 显示全部楼层
回复 13# le_levi


    我是反相器的pmos和其实pmos放在一起了 中间隔个N型环
发表于 2014-2-27 10:13:50 | 显示全部楼层
為什麼不把P N mos各自放在各自ring裡面呢?
发表于 2014-3-8 15:32:14 | 显示全部楼层
版图有问题吧。
发表于 2014-4-19 18:00:42 | 显示全部楼层
感觉是ground与psub的问题
发表于 2014-4-23 23:17:54 | 显示全部楼层
很有可能是Nwell打错了。
发表于 2023-8-24 14:14:00 来自手机 | 显示全部楼层


professor_h 发表于 2014-2-25 09:31
以前我也遇到过这种问题,不过是关于我用的工艺中有个叫基板分离层(SEPGND)的层次覆盖的关系,sepgend层 ...


方便问一下具体怎么使用吗,我加了跟没加没区别。
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