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[原创] CMOS工艺中设计光电二极管器件

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发表于 2014-2-24 18:35:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人设计的一款前端芯片,目前使用的是外接的光电二极管器件。想请教下,如何在CMOS工艺里面,如何使用N_well/p_sub,设计一个PN结,来实现——将光电二极管也集成在芯片内?如何设计这样的集成光电二极管,我目前大致明白了原理,我看了很多相关论文,知道这个是可行的。我主要不明白的是:如何在工艺上实现?如果我使用的1P6M工艺,不知道怎样设计这个光电二极管的物理层?N_well上面是不是会覆盖很厚的氧化层?这样会不会造成输入光照射不进PN结?

有谁对工艺很熟的吗?知道这里面设计的工艺问题吗?


有谁做过类似这样的集成芯片吗?
 楼主| 发表于 2014-2-25 09:25:27 | 显示全部楼层
等人回复
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发表于 2014-2-25 09:45:12 | 显示全部楼层
帮你顶~
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发表于 2014-2-27 08:02:59 | 显示全部楼层
回复 1# tiancai3385
你这是什么应用?探测红外,紫外,还是可见光?
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 楼主| 发表于 2014-2-27 09:14:02 | 显示全部楼层
回复 4# ebook128


   我目前正在尝试做这样的CMOS OEIC,可见光到近红外光都可以,光源的波长并没有关系。我只是不清楚怎样在设计版图,需要特定的掩模版吗?
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发表于 2014-2-27 12:48:11 | 显示全部楼层
求助求助lz,我现在做个类似光控开关的东西,也需要将光敏器件集成在芯片上,我想问下lz看的论文大致有什么啊,我在cnki上找半天找不到,所有光控都是外接的。。。求提供几个题目或者是关键字啥的,不胜感激!
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 楼主| 发表于 2014-2-28 12:22:06 | 显示全部楼层
回复 6# 狐之忿忿


   我们是研究机构,我看的一般是英文,IEEE上检索的,检索的关键词:cmos photodiode/photodetector.
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发表于 2014-3-5 22:36:13 | 显示全部楼层
回复 7# tiancai3385


   谢谢!
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发表于 2014-3-12 17:18:41 | 显示全部楼层
may be you need to see cmos sensor's ,like  T3,T4
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发表于 2016-5-25 11:50:11 | 显示全部楼层
不知楼主是否解决CMOS工艺光电二极管的版图问题?
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