关于PSRR问题

lq_1230 · 发表于 2013-9-18 21:09:56

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面试时被问到LDO中调整管使用PMOS或者NMOS对PSRR有什么影响，哪个能好一点？求哪位大神指点。

lovexxnu · 发表于 2013-9-20 08:24:53

回复 1# lq_1230

p管差些，直接影响到输出，n管好些

math123 · 发表于 2013-9-20 12:27:14

本帖最后由 math123 于 2013-9-20 12:32 编辑

回复 lq_1230

p管差些，直接影响到输出，n管好些
lovexxnu 发表于 2013-9-20 08:24

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对啊。

这里做比较的结构是两级运放（PMOS功率管），和两级运放+NMOS功率管。
PMOS做功率管有可能会产生△VGS，虽然环路增益可以压抑这个变化，但已使得PSR比环路增益低了一个数量级，改善的方法是将第一级改为NMOS输入，PMOS电流镜，可以抵消这个△VGS

接着比较vin从功率管ro传递过去的干扰(输出电流变大，ro变小，这个干扰变大)
PMOS的话，这个PSR大概是1/环路增益，由于NMOS的输出电阻小，算出来的结果是PSR要好上一个数量级，这里是单这个量而言，实际上vin会从从上一级运放的PMOS管ro进入NMOS功率管的栅极，由于这个ro比较大，最后还是NMOS功率管的PSR要好

lq_1230 · 发表于 2013-9-21 10:53:28

回复 3# math123

多谢大神指教，明白点了

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