求电路分析。。说出优缺点！

ksg12 · 发表于 2013-9-14 10:32:43

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semico_ljj · 发表于 2013-9-14 17:11:32

mark。

ksg12 · 发表于 2013-9-17 16:42:03

自己顶一下，是一个bootstrapped switch, 谁能详细解释一下。。。

chenqiwei · 发表于 2013-9-17 16:53:34

中间密密麻麻，估计没几个人能看清楚是什么

ives · 发表于 2013-9-17 21:53:26

图看不清楚的

lskybs · 发表于 2013-9-17 22:40:13

不知道什么！看上去很厉害的样子……

ksg12 · 发表于 2013-9-18 08:11:34

把鼠标移到图标上，按CTRL+滚轮，图片就会放大，很清楚的。

jaylight · 发表于 2013-9-18 14:52:11

我说个大概，不对的地方请楼主指点
这个电路大致是说，在cp为low的时候，电路给电容充电，使电容两端电压约为vdd，
当cp为high的时候，将电容底电压端接到与输出电压相约的电平，正端给开关栅极供电，使nmos有足够的vgs

只是有些地方我没看懂，
1.按电路的结构，充电时，电容拉低的是nmos_cap的栅极，这样，nmos_cap电容很小的啊
2.cp变高的瞬间，B14I154_D端的放电通路可能包括B14I154的衬底，可能在衬底看到瞬间的电流，小心latch up的危险

中间躺着的nmos衬底怎么接看不清楚，这个也是latch up考虑的地方
其他我就看不出来了，请指教

jaylight · 发表于 2013-9-18 14:53:28

我说个大概，不对的地方请楼主指点
这个电路大致是说，在cp为low的时候，电路给电容充电，使电容两端电压约为vdd，
当cp为high的时候，将电容底电压端接到与输出电压相约的电平，正端给开关栅极供电，使nmos有足够的vgs

只是有些地方我没看懂，
1.按电路的结构，充电时，电容拉低的是nmos_cap的栅极，这样，nmos_cap电容很小的啊
2.cp变高的瞬间，B14I154_D端的放电通路可能包括B14I154的衬底，可能在衬底看到瞬间的电流，小心latch up的危险

中间躺着的nmos衬底怎么接看不清楚，这个也是latch up考虑的地方
其他我就看不出来了，请指教

ksg12 · 发表于 2013-9-22 08:24:05

回复 9# jaylight

基本功能就是一个节拍对电容充电，在另一个节拍的时候，开关MOS的栅电压等于= 预充电电压+输入电压。
理论上可以保持Vgs为恒值。（但是栅和衬底之间的电压会大于管子的工作电压。不知道这个怎么考虑？）

中间躺着的皆为NMOS管，衬底都接地。
预充电时，充电电流确实很小。另外，还希望jaylight 详细分析一下latch up的问题。

谢谢

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