熔丝烧不断怎么办啊

feiyufox

0.5u 2p2m工艺，按照设计规则做的，熔丝做的是l/w=8u/1.5u，Metal 1结果熔丝烧完之后，有些很好，电阻在M级之上，但很多还有400K左右的电阻
烧熔丝用的是电容充放电，不同的电容电压值均试过，好像改善效果不明显。
怎么解决！！！！！！

semico_ljj

这个还是和代工厂先沟通一下，同时确认测试仪器没有任何问题

stone1005

曾经经历过只有用特定的电压才能烧断，低了高了都不行。就是出一个中间的电阻值...。应该是工艺的问题，烧断的metal又和别的东西连在一起了应该。

kokokiki

回复 1# feiyufox

metal1 ?2p2m 當然要使用top metal(metal2),還要開window,通電高熱氧化,就不會有熔回成低阻的情形.

sjun

回复 4# kokokiki

不是一般用（top-1）层金属么？

jeff_zx

回复 1# feiyufox


           感觉是电流不够，一般你这种规格的fuse电流应该要在350mA以上。电容放电是会不稳定，因为受寄生参数影响较大。
要考虑到探针的接触电阻每次都是不一样的。这与针的位置深度以及氧化度都有关的。这个电阻大了就可能烧不断了，单纯的加大电容是没有的。因为有R，C大了时间常数也大了，放电的瞬态电流也就下来了。
      可否考虑直接用电压电流源烧？可能的问题是这样trim pad端会有较大的反冲电压，就看看你内部有没有考虑可靠性。

jeff_zx

回复 4# kokokiki


    一般通用工艺是n-1，实际上用 n-1 metal和top metal 开窗的效果是一样的，因为腐蚀氧化层都是会过腐蚀的
因为对金属没有腐蚀性，所以遇到金属腐蚀就停止了，但为了保证金属上没有氧化层残留，露出金属后会在腐蚀一段时间。
所以，实际上n-1metal上的氧化层也都没有了，即使有，也是很薄的一层，不影响气体溶出。

使用n-1，在后续封装过程中，对应力的承受还是要好于top，同时很多top都是thick metal，不适用于做fuse

zjwu508

这位哥们是在CSMC假.35工艺做的吧

ralphtw

width smaller !

bright_pan

efuse 电阻那里的layout也有考究的，最好能做成形成电流拥挤的那种layout， 最好引入比较器比较的那种，因为除了工艺厂商做的IP， 设计方作的很难保证良率的。
    实际上按照参考，良率好的都是直接电迁移open的，而我们自己设计的很多都是直接发热熔断了的，这种很容易熔断后藕断丝连，不好控制烧写的过程。 自己做的最好用顶层metal ，有开空的。