偏执电压

DY_rockets · 发表于 2013-7-3 20:46:49

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我想为NMOS提供一个218mv的偏执电压，让其工作在亚阈值区，如何设计一个偏执电路？？
其实最好是能从电路本身找到这样一个偏执，大家有没有什么建设性意见？

semico_ljj · 发表于 2013-7-3 21:49:49

218mv 你是怎么确定的呢？如果考虑全温度范围这个值范围是？
如果再考虑 ss tt ff这个值又如何？

semico_ljj · 发表于 2013-7-3 21:50:39

只能从单位w/L偏置电流的值来定亚阈值

DY_rockets · 发表于 2013-7-5 21:07:18

回复 2# semico_ljj

尝试出来的，在218m的时候bandgap的温度系数最好！！

173660575 · 发表于 2013-7-6 11:58:21

偏执电压一般调节管子的宽长比来实现的

fumin987654321 · 发表于 2013-7-6 20:43:58

从1.2Vbandgap电压分压来产生

venric · 发表于 2013-7-7 00:40:30

主要考虑的是工艺变化的影响还是温度的影响啊
NMOS是工作在全corner的218m性能最佳？
还是在218m下的电流性能最佳？

199619919 · 发表于 2013-7-8 13:19:13

有哪个偏置能提供精确的偏置电压呢？无论怎样，PVT变化都会有影响的。Bandgap都做不到。想让管子工作在亚阈值区，电流一定的情况下把W/L调大就好了，一般达到gm/id大于16就可以，不过这也得看你的具体设计是什么

ruixin2014 · 发表于 2014-6-26 09:15:38

学习中

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