版图设计中的几个疑问。

spima · 发表于 2013-6-22 22:22:06

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大家好。本人是一名菜鸟。这是我在此论坛发的第一篇帖子。
本人在学习SMIC 180nm的规则的时候，遇到了一些不明之处。还望各位指点一二。

1.N阱、P阱、AA划分？
根据相关的工艺介绍，此工艺是双阱工艺，先制作AA区窗口，然后分别注入相应的离子形成N阱和P阱。但是版图介绍中没有介绍P阱规则，只有N阱规则。
问：是否N阱外的地方都需要注入相应的粒子形成P阱？或者直接用P衬底做P阱？

2.GT规则？
所有的带有ct的GT必须是salicide poly吗？例如下面的描述中所说的GT.
GT.10 a：maximum length of silicide poly on STI between two contacts when poly width <=0.24μm；
GT.10b： maximum length of silicide poly on STI between one contact and poly line end when poly width <=0.24μm

3.关于NLL（或NLH）,PLL（或PLH）掩膜版图.
貌似工艺里面有这些层沿模板，但是我看同事画的版图中没有这几层。
请问这是怎么回事。没有画出代表这些图层不是必需的还是工艺厂商得到版图后会自动加上这些层？

4. 关于SAB。即salicide block层。
也是很多版图中没有画出。请问，没有画出代表此图层不是必需的还是工艺厂商会自动加上这一层？

小弟新人，有表述不当之处还请谅解。
希望有热心的朋友赐教。也欢迎各位只对自己熟悉或者感兴趣的问题回答。小弟在这里谢过了。