请教LDO流片之后的两个问题

Pokhara · 发表于 2013-6-10 00:27:11

回复 18# chaojixin

明白了，非常感谢！

luckyhuihui666 · 发表于 2013-6-10 21:43:08

仿真都没有问题，现在流片之后有两个问题
1.load regulation比较差，随着load加大输出减小，0-1A掉了。并且 ...
luckyhuihui666 发表于 2013-2-6 11:14

登录/注册后可看大图

感谢大家的关注，现在已经debug结束，第一个问题是因为内部有根GND线出现了PGND和AGND共用的情况；第二个问题是工艺上pmos的leakage比较大，导致offset随着电源会变大。已经改版流片验证成功。还是谢谢eetop上的xdjm们。

kuohsi · 发表于 2013-6-13 16:53:57

回复 2# wind2000sp3

请教wind2000sp3, 您有提到：

"需要避免电流竞争，多用analog invertor的结构。"

请问analog inverter是什么？需要加在哪里？感谢。

wind2000sp3 · 发表于 2013-6-14 09:51:21

回复 23# kuohsi

就是共源放大器那种结构

plerain · 发表于 2013-6-15 16:49:52

学习了

ttxxmm · 发表于 2013-6-16 09:51:58

学习了

looksky34 · 发表于 2015-1-28 16:41:30

回复 3# jeff_zx

请问PCM参数是什么意思，谢谢

renky123456 · 发表于 2015-8-12 22:26:04

看一看，学一学。

semico_ljj · 发表于 2015-8-13 10:15:39

回复 22# luckyhuihui666

AGND,PGND有这么大影响？

Can_do_go · 发表于 2018-6-21 09:50:03

顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶

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