mos电容

sjun · 发表于 2013-5-22 22:10:31

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为了获得地电压系数的mos电容，一般在栅下要重掺杂（阈值附近mos电容变化大），但我现在使用的工艺不提供mos电容，是不是意味着我只要避开阈值使用普通mos管就可以得到电压系数小的电容呢？这样使用会不会存在什么问题？

mcgrady · 发表于 2013-5-22 22:15:28

电容要用在什么地方？

sjun · 发表于 2013-5-23 15:04:38

回复 2# mcgrady

用作振荡器充放电电容

nool · 发表于 2013-5-23 16:50:33

mos电容一般是n+做在nwell里，阈值为0或者负
这样电容vs偏置电压的曲线可以看到在需要的电压范围内比较一致的容值
你可以根据你的电压范围和对稳定时容值的相对要求取舍

sjun · 发表于 2013-5-23 17:00:10

回复 4# nool

我现在用的电容一端接地，用的是nmos，由于用的pdk没有包含mos电容，需要自己画，比较麻烦，我想用普通nmos管源漏体接地，栅极作为上极板来用，是不是只要避开阈值区域就可以用，会不会带来什么特殊问题？

jamesccp · 发表于 2013-5-23 17:51:28

回复 3# sjun

设计指标要求呢？MOS管做电容不能满足？

sjun · 发表于 2013-5-23 20:02:02

回复 6# jamesccp

pdk本来是有多晶硅-多晶硅电容的，但是误差太大，mos电容相对来说小一点，仿真是ok的，就是不知道这种栅下没有重掺杂的mos管做电容避开阈值工作会不会有问题.

mcgrady · 发表于 2013-5-23 22:09:03

避开阈值应该没问题，考虑工艺角后再留点安全区间吧

qiwentuo · 发表于 2013-5-24 09:27:48

我们项目都用的pip电容（做的开关充放电的振荡器），我们用的pip电容性能我觉得还好啊！（Voltage Coefficient=95ppm/V；Temperature Coefficient=26ppm/℃）；当然用mos电容有时候避不开阈值区，因为你的开关所控制的电容上极板电压变化幅度大。

sjun · 发表于 2013-5-24 09:48:52

回复 9# qiwentuo

之前都是用PIP电容，奈何工艺偏差实在是太大。我现在的做法是限制充电的下限，保证不要放电到阈值以下。

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