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查看: 2376|回复: 8

[求助] MOS管匹配工艺参数

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发表于 2013-5-16 09:48:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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pa.jpg
是不是所有工艺库都会提供如图所示参数,如果提供一般会在哪一部分。
发表于 2013-5-16 10:01:36 | 显示全部楼层
回复 1# hondgen


   一般的工艺会提供不同尺寸下Vth和Id的mismatch吧。。。。。。
 楼主| 发表于 2013-5-16 10:40:07 | 显示全部楼层
回复 2# silverpuma


    是会提供,很多论文中用上面这些参数进行理论计算,还都是说是库中会提供,可我找不到
发表于 2013-5-16 10:43:27 | 显示全部楼层
foundry doc ?
发表于 2013-5-16 12:49:29 | 显示全部楼层
回复 3# hondgen


   有些工艺专门有个mismatch的文档说明,有些是在EP参数里面的,有些工艺是没有的。。。。
发表于 2013-5-16 23:07:11 | 显示全部楼层
楼主要做dac吗?这个东东我也只在paper里看到过,工艺文件里没看到过
 楼主| 发表于 2013-5-17 10:29:31 | 显示全部楼层
回复 6# mcgrady


    是,这paper也太假了……
发表于 2013-5-17 10:59:02 | 显示全部楼层
回复 7# hondgen


    如果找不到,建议你基于工艺模型来跑蒙特卡洛分析,找到mismatch的3-sigma值
应该挺准的,但麻烦一点
发表于 2013-5-17 14:19:54 | 显示全部楼层
论坛里面的tsmc.18工艺里面就有这个文档啊
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