MOS管的截止频率ft

JoyShockley

回复 20# hezudao


    处在弱反型，一样可以定义出FT，没有什么不对的，我基于那系列的流程依然可以得到准确的W/L. gm/ID
的方法，在弱反型一样可以工作。 你需要证明他不可以工作，或者指出应该什么仿真。

至少，我现在接触到的作业和课件并未要求区分出来，EE240的所有作业没有要求区分他们。  而我从我的理解上，也认为不用区分

JoyShockley

回复 20# hezudao


    我仔细想了想，ft的确是需要在饱和区才有意义，弱反型应该是没有ft的定义的。但是，似乎对电路设计无关

hezudao

回复 22# JoyShockley


    你能告诉我，为什么工作在weak inversion就没ft的定义了

JoyShockley

回复 23# hezudao


    一般接触的ft是在小信号等效后，得到的电流增益为1的频率。。
  弱反型后，的确也可以做小信号的等效，这时的确也可以得到电流增益为1频率，基于此，弱反型中的FT是存在的，但是计算公式的确不能用饱和区的公式了。    但是，作为设计，我不想管子工作在弱反型的区域。

hezudao

回复 24# JoyShockley


    你的结论一直在变，先说说你的做法是不是有问题，然后告诉你什么时候用weak inversion

semico_ljj

Mark。

hezudao

回复 24# JoyShockley


    怎么不回复了

JoyShockley

回复 27# hezudao


    仔细想过后，还是觉得这样的仿真依然适用于弱反型的区域，因为这时候的gm,CGG等都是在弱反型时得到小信号值。。。弱反型的小信号等效模型也可是和饱和区一样。

请说出你的方法和见解，有道理说服我，我自然认错，OK？

hezudao

回复 28# JoyShockley


    呵呵，你发现没，其实你最初的做法没问题，但是我随便挑战了一下你的方法，你的结论就变了很多次。

JoyShockley

虽然，最后坚定了自己想法，但一开始被你给唬住了，还是不应该。。。。主要是敬你是前辈，以为你真的发现破绽了，呵呵。。。   你在上海么